Для цитирования:
Горский А.А., Берлинер Л.Б., Титова Е.В. РАСЧЕТ СКОРОСТИ РОСТА И СОСТАВА НАНОСЛОЕВ InXGa1-XAs НА ПОДЛОЖКЕ InP С ПОМОЩЬЮ 3D-МОДЕЛИ ГОРИЗОНТАЛЬНОГО РЕАКТОРА МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ. Тонкие химические технологии. 2013;8(4):85-91.
For citation:
Gorskiy A.A., Berliner L.B., Titova E.V. CALCULATION OF GROWTH RATES AND COMPOSITIONS OF NANOLAYERS InXGa1-XAs ON A InP SUBSTRATE USING A 3D MODEL OF A HORIZONTAL MOVPE REACTOR. Fine Chemical Technologies. 2013;8(4):85-91. (In Russ.)