Preview

Тонкие химические технологии

Расширенный поиск
Полноэкранный режим

Для цитирования:


Горский А.А., Берлинер Л.Б., Титова Е.В. РАСЧЕТ СКОРОСТИ РОСТА И СОСТАВА НАНОСЛОЕВ InXGa1-XAs НА ПОДЛОЖКЕ InP С ПОМОЩЬЮ 3D-МОДЕЛИ ГОРИЗОНТАЛЬНОГО РЕАКТОРА МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ. Тонкие химические технологии. 2013;8(4):85-91.

For citation:


Gorskiy A.A., Berliner L.B., Titova E.V. CALCULATION OF GROWTH RATES AND COMPOSITIONS OF NANOLAYERS InXGa1-XAs ON A InP SUBSTRATE USING A 3D MODEL OF A HORIZONTAL MOVPE REACTOR. Fine Chemical Technologies. 2013;8(4):85-91. (In Russ.)



Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International License.


ISSN 2410-6593 (Print)
ISSN 2686-7575 (Online)