МЕХАНИЗМ ТРАВЛЕНИЯ GаAs В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ТЕТРАХЛОРИДОМ УГЛЕРОДА В УСЛОВИЯХ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ
Аннотация
И зучен процесс травления эпитаксиальных слоев GaAs в процессе легирования тетрахлоридом углерода в технологически привлекательном диапазоне режима роста (t = 600-800°С) в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что с повышением температуры ведущим механизмом становится травление GaAs с образованием летучего GaCl3.
Об авторах
Т. А. Багаев
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
Россия
М. А. Ладугин
ООО «Сигм Плюс», Москва, 117342
Россия
Россия
А. А. Падалица
ООО «Сигм Плюс», Москва, 117342
Россия
Россия
А. А. Мармалюк
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86;
ООО «Сигм Плюс», Москва, 117342
Россия
Россия
Список литературы
1. Дураев В.П., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петровский А.В., Рябоштан Ю.А., Сумароков М.А., Сухарев А.В. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050-1100 нм // Квантовая электроника. 2005. Т. 35 С. 909-911.
2. Matthews J.W., Blakeslee A.E. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118-125.
3. Dodson B.W., Tsao J.Y. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 17. P. 1325-1327.
4. Tsao J.Y., Dodson B.W. Excess stress and the stability of strained heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 10. Р. 848-850.
5. Brown D. Anion exchange at the interfaces of mixed anion III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy: diss… Ph.D. in Electrical and Computer Engineering. Georgia Institute of Technology, 2003. 131 p.
Рецензия
Для цитирования:
Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А. МЕХАНИЗМ ТРАВЛЕНИЯ GаAs В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ТЕТРАХЛОРИДОМ УГЛЕРОДА В УСЛОВИЯХ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ. Тонкие химические технологии. 2013;8(4):77-79.
For citation:
Bagaev Т.А., Ladugin М.А., Padalitsa А.А., Marmalyuk А.А. ETCHING MECHANISM OF CCl4-DOPED GaAs GROWN BY MOCVD. Fine Chemical Technologies. 2013;8(4):77-79. (In Russ.)
Просмотров:
337
Послать статью по эл. почте 
