chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-574Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВETCHING MECHANISM OF CCl4-DOPED GaAs GROWN BY MOCVDМЕХАНИЗМ ТРАВЛЕНИЯ GаAs В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ТЕТРАХЛОРИДОМ УГЛЕРОДА В УСЛОВИЯХ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИБагаевТ. А.BagaevТ. А.noemail@neicon.ruЛадугинМ. А.LaduginМ. А.noemail@neicon.ruПадалицаА. А.PadalitsaА. А.noemail@neicon.ruМармалюкА. А.MarmalyukА. А.noemail@neicon.ruМИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86РоссияM.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571Russian FederationООО «Сигм Плюс», Москва, 117342РоссияSigm Plus, Moscow, 117342Russian FederationМИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86; ООО «Сигм Плюс», Москва, 117342РоссияM.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571; Sigm Plus, Moscow, 117342Russian Federation201328082013847779Copyright © Bagaev Т.А., Ladugin М.А., Padalitsa А.А., Marmalyuk А.А., 20132013Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А.Bagaev Т.А., Ladugin М.А., Padalitsa А.А., Marmalyuk А.А.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/574

Recently carbon-doped epitaxial layers become more attractive in most practical applications. In this paper we have considered the mechanisms of etching of CCl<sub>4</sub>-doped GaAs grown by MOCVD in the temperature range of 600–800°C. It has been shown that, as temperature increases, the etching of solid GaAs with the formation of volatile GaCl3 becomes the leading contribution to the growth rate reduction.

И зучен процесс травления эпитаксиальных слоев GaAs в процессе легирования тетрахлоридом углерода в технологически привлекательном диапазоне режима роста (t = 600-800°С) в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Показано, что с повышением температуры ведущим механизмом становится травление GaAs с образованием летучего GaCl3.

GaAsлегирование ССl4механизм травленияМОС-гидридная эпитаксияGaAsCCl4 dopingetching mechanismMOCVD.ReferencesДураев В.П., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петровский А.В., Рябоштан Ю.А., Сумароков М.А., Сухарев А.В. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050-1100 нм // Квантовая электроника. 2005. Т. 35 С. 909-911.Дураев В.П., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петровский А.В., Рябоштан Ю.А., Сумароков М.А., Сухарев А.В. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050-1100 нм // Квантовая электроника. 2005. Т. 35 С. 909-911.Matthews J.W., Blakeslee A.E. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118-125.Matthews J.W., Blakeslee A.E. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118-125.Dodson B.W., Tsao J.Y. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 17. P. 1325-1327.Dodson B.W., Tsao J.Y. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 17. P. 1325-1327.Tsao J.Y., Dodson B.W. Excess stress and the stability of strained heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 10. Р. 848-850.Tsao J.Y., Dodson B.W. Excess stress and the stability of strained heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 10. Р. 848-850.Brown D. Anion exchange at the interfaces of mixed anion III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy: diss… Ph.D. in Electrical and Computer Engineering. Georgia Institute of Technology, 2003. 131 p.Brown D. Anion exchange at the interfaces of mixed anion III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy: diss… Ph.D. in Electrical and Computer Engineering. Georgia Institute of Technology, 2003. 131 p.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.