Оценка возможности использования газового смесителя исходных компонентов мос-гидридной эпитаксии для получения резких гетеропереходов

Рассмотрены перспективы использования газового смесителя исходных компонентов для получения более резких гетеропереходов в реакторах МОС-гидридной эпитаксии. Создана 3D модель смесителя, включающая в себя уравнения потока и бинарной диффузии компонентов. На основе расчетов с использованием параметров рабочей установки и сравнения результатов с лабораторными исследованиями сделан вывод о нецелесообразности применения таких смесителей для реакторов горизонтального типа.

МОС-гидридная эпитаксия, In_xGa_1-xAs, газовый смеситель, резкие гетеро-переходы, моделирование, 3D модель

1. Rogalski A. Quantum well photoconductors in infrared detector technology // Appl. Phys. R. 2003. V. 93. P. 4355-4391.

2. Zhao J.H, Tang X.H, Mei T., Zhang B.L., Huang G.Sh. MOCVD growth of InGaAsP/InGaAs multi-step-quantum well structure for QWIP application by using TBA and TBP in N2 ambient // J. Crystal Growth. 2004. V. 268. P. 432-436.

3. Nguyen L.D., Brown A.S. [et al.]. 50-nm Self-Aligned-Gate Pseudomorphic AlInAs/GaInAs high electron mobility transistors // IEEE Trans. on Electron Devices. 2007. V. 39. № 9. P. 2007-2013.

4. Diez E., Chen Y.P., Cervero J. M. Two-dimensional electon gas in InGaAs/InAlAs quantum wells // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 052107-1-052107-3

5. Белявский В.И. Физические основы полупроводниковой нанотехнологии // Соросовский образовательный журнал. 1998. № 10. С. 92-98

6. Официальная страница программного продукта http://www.comsol.com/ (04.04.2014)

7. Зенкевич О. Метод конечных элементов в технике. М.: Мир, 1975. 310 c.

8. Neufeld P.D., Janzen A.R., Aziz R.A. Empirical equations to calculate 16 of the transport collision integrals (l; s) for the Lenndard-Jones (12-6) potential // J. Chem. Physics. 1972. V. 57. P. 1100-1102.

9. Lennard-Jones J.E. On the determination of molecular fields // Proc. Roy. Soc. 1924. V. A106. P. 463-477. Rogalski A. Quantum well photoconductors in infrared detector technology // Appl. Phys. R. 2003. V. 93. P. 4355-4391.

10. Zhao J.H, Tang X.H, Mei T., Zhang B.L., Huang G.Sh. MOCVD growth of InGaAsP/InGaAs multi-step-quantum well structure for QWIP application by using TBA and TBP in N2 ambient // J. Crystal Growth. 2004. V. 268. P. 432-436.

11. Nguyen L.D., Brown A.S. [et al.]. 50-nm Self-Aligned-Gate Pseudomorphic AlInAs/GaInAs high electron mobility transistors // IEEE Trans. on Electron Devices. 2007. V. 39. № 9. P. 2007-2013.

12. Diez E., Chen Y.P., Cervero J. M. Two-dimensional electon gas in InGaAs/InAlAs quantum wells // Appl. Phys. Lett. 2006. V. 88. P. 052107-1-052107-3

13. Белявский В.И. Физические основы полупроводниковой нанотехнологии // Соросовский образовательный журнал. 1998. № 10. С. 92-98

14. Официальная страница программного продукта http://www.comsol.com/ (04.04.2014)

15. Зенкевич О. Метод конечных элементов в технике. М.: Мир, 1975. 310 c.

16. Neufeld P.D., Janzen A.R., Aziz R.A. Empirical equations to calculate 16 of the transport collision integrals (l; s) for the Lenndard-Jones (12-6) potential // J. Chem. Physics. 1972. V. 57. P. 1100-1102.

17. Lennard-Jones J.E. On the determination of molecular fields // Proc. Roy. Soc. 1924. V. A106. P. 463-477.