Specific features of electrochemical polishing etch of single crystal silicon in a non-oxidizing etching agent

Specific features of the electrochemical etching of single crystal n- and p-type silicon in a non-oxidizing etching reagent (< 12 vol. % of HF) were studied. Pulsation of voltage-time dependence of etching was found. The obtained results are explained by the formation of a loose high-resistance layer of complex fluorides and silicon oxides on the surface of the silicon substrate, as well as by differences in the nature of n- and p-type silicon etching.

nanoporous silicon, electrochemical etching, pulsation, thin surface layer, galvanostatic mode, pulsation, high-ohmic layer

1. Memming R., Sckwandt G. Anodi dissolution of silicon in hydrofluoric acid solution // Surface Sci. 1966. V. 4. № 2. Р. 109-124.

2. Turner D.R. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // Electrochem. Soc. 1958. V. 5. № 7. Р .402-405.

3. Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. № 2. P. 476-483.

4. Unagami T., Seki M. Structure of porous silicon and heat treatment effect // J. Electrochem. Soc. 1978. V. 125. № 8. P. 1339-1344.

5. Николаев К.П., Немировский Л.Н., Новицкий В.М. Особенности формирования пористого кремния на слаболегированных подложках из кремния электронного типа проводимости // Электронная техника. 1985. Вып. 3 (176). С. 81-85.

6. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Глиненко Л.К. Формирование пористого кремния на кремнии n+-типа проводимости // Изв. АН БССЗ. 1983. № 1. C. 55-59.

7. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Глиненко Л.К., Басманов И.Н. Исследование процесса формирования пористого кремния и автоэпитаксии на его поверхности // Микроэлектроника. 1983. Вып. 1. С. 11-16.