chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-722Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВSpecific features of electrochemical polishing etch of single crystal silicon in a non-oxidizing etching agentОсобенности электрохимического полирующего травления моно-кристаллического кремния в неокислительном травителеШелонинЕ. А.SheloninE. A.chengs@mail.ruХортА. М.KortA. M.noemail@neicon.ruЯковенкоА. Г.YakovenkoA. G.noemail@neicon.ruГвелесианиА. А.GvelesianiA. A.noemail@neicon.ruАбрамоваЕ. Н.AbramovaE. N.noemail@neicon.ruМИТХТ им. М.В. ЛомоносоваRussian FederationМИТХТ им. М.В. ЛомоносоваРоссияM.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571Russian Federation201228082012748487Copyright © Shelonin E.A., Kort A.M., Yakovenko A.G., Gvelesiani A.A., Abramova E.N., 20122012Шелонин Е.А., Хорт А.М., Яковенко А.Г., Гвелесиани А.А., Абрамова Е.Н.Shelonin E.A., Kort A.M., Yakovenko A.G., Gvelesiani A.A., Abramova E.N.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/722нанопористый кремнийэлектролитическое травлениетонкий поверхностный слойгальваностатический режимпульсациявысокоомный слойnanoporous siliconelectrochemical etchingpulsationthin surface layergalvanostatic modepulsationhigh-ohmic layerReferencesMemming R., Sckwandt G. Anodi dissolution of silicon in hydrofluoric acid solution // Surface Sci. 1966. V. 4. № 2. Р. 109-124.Memming R., Sckwandt G. Anodi dissolution of silicon in hydrofluoric acid solution // Surface Sci. 1966. V. 4. № 2. Р. 109-124.Turner D.R. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // Electrochem. Soc. 1958. V. 5. № 7. Р .402-405.Turner D.R. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // Electrochem. Soc. 1958. V. 5. № 7. Р .402-405.Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. № 2. P. 476-483.Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. № 2. P. 476-483.Unagami T., Seki M. Structure of porous silicon and heat treatment effect // J. Electrochem. Soc. 1978. V. 125. № 8. P. 1339-1344.Unagami T., Seki M. Structure of porous silicon and heat treatment effect // J. Electrochem. Soc. 1978. V. 125. № 8. P. 1339-1344.Николаев К.П., Немировский Л.Н., Новицкий В.М. Особенности формирования пористого кремния на слаболегированных подложках из кремния электронного типа проводимости // Электронная техника. 1985. Вып. 3 (176). С. 81-85.Николаев К.П., Немировский Л.Н., Новицкий В.М. Особенности формирования пористого кремния на слаболегированных подложках из кремния электронного типа проводимости // Электронная техника. 1985. Вып. 3 (176). С. 81-85.Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Глиненко Л.К. Формирование пористого кремния на кремнии n+-типа проводимости // Изв. АН БССЗ. 1983. № 1. C. 55-59.Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Глиненко Л.К. Формирование пористого кремния на кремнии n+-типа проводимости // Изв. АН БССЗ. 1983. № 1. C. 55-59.Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Глиненко Л.К., Басманов И.Н. Исследование процесса формирования пористого кремния и автоэпитаксии на его поверхности // Микроэлектроника. 1983. Вып. 1. С. 11-16.Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Глиненко Л.К., Басманов И.Н. Исследование процесса формирования пористого кремния и автоэпитаксии на его поверхности // Микроэлектроника. 1983. Вып. 1. С. 11-16.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.