Состав анодных оксидных пленок на кристаллах InAs

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) исследован элементный и химический состав анодных оксидных пленок (АОП) арсенида индия, полученных анодным окислением в гальваностатическом режиме при двух значениях плотности анодного тока (j) в электролите, содержащем ионы фтора. Определены особенности процесса накопления атомов фтора при выращивании АОП и влияние значения j на этот процесс.

арсенид индия, анодная оксидная пленка, рентгеновская фотоэлек- тронная спектроскопия, фторид-ион, элементный состав.

1. Астахов В.П., Данилов Ю.А., Дудкин В.Ф., Лесников В.П., Сидорова Г.Ю., Суслов Л.А., Таубкин И.И., Эскин Ю.М. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. №. 3. С. 1-5.

2. Давыдов В.Н., Лоскутова Е.А., Фефелова И.И. // Микроэлектроника. 1986. Т. 15. № 5. С. 455-459.

3. Валишева Н.А., Гузев А.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Левцова Т.А., Панова З.В. // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 2. С. 99-106.

4. Валишева Н.А., Терещенко О.Е., Просвирин И.П., Калинкин А.В., Голяшов В.А., Левцова Т.А., Бухтияров В.И. // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 46. № 4. С. 569-575.

5. Valisheva N.A., Tereshchenko O.E., Prosvirin I.P., Levtsova T.A., Rodjakina E.E., Kovchavcev A.V. // Appl. Surface Sci. 2010. P. 5722-5726.

6. Urch D.S., Urch M.J.S. ESCA (Mg) - Auger table. London: Chemistry department, Queen Mary College, University of London, 1981. 52 р.

7. Jewett S., Zemlyanov D., Ivanisevic A. // Langmuir. 2011. № 27. P. 3774-3782.

8. Seah M.P., Dench W.A. // Surface & Interface Analysis. 1979. V. 1. № 1. P. 1-11.

9. Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Eden Prairie, MN: Physical Electronics, Inc., 1995. 95 p.