chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-253Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВThe composition of anodic oxide films on InAs crystalsСостав анодных оксидных пленок на кристаллах InAsАртамоновА. В.ArtamonovA. V.

инженер

art-bass@mail.ruАстаховВ. П.AstakhovV. P.

главный специалист

noemail@neicon.ruВарлашовИ. Б.VarlashovI. B.

зам. зав. кафедрой по научной работе

noemail@neicon.ruЕвстафьеваН. И.Evstaf’EvaN. I.

начальник отдела

noemail@neicon.ruМитасовП. В.MitasovP. V.

аспирант

noemail@neicon.ruОАО «Швабе-Фотосистемы», Москва,117545РоссияJSC «Shvabe-Photosystems», Moscow, 117545Russian FederationОАО «Швабе-Фотосистемы», Москва,117545РоссияJSC «Shvabe-Photosystems», Moscow, 117545Russian FederationНациональный исследовательский университет «МЭИ», Москва,111250РоссияNational Research University «MEI», Moscow, 111250Russian Federation2015281020151051318Copyright © Artamonov A.V., Astakhov V.P., Varlashov I.B., Evstaf’Eva N.I., Mitasov P.V., 20152015Артамонов А.В., Астахов В.П., Варлашов И.Б., Евстафьева Н.И., Митасов П.В.Artamonov A.V., Astakhov V.P., Varlashov I.B., Evstaf’Eva N.I., Mitasov P.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/253

The elemental and chemical composition distribution over the indium arsenide anodic oxide films (AOF) thickness created by anodic oxidation in a galvanostatic mode at two current density values in an electrolyte containing fluoride ions are studied by X-ray photoelectron spectroscopy. The received data indicate that AOF consist of the fluoride-oxygen compounds of In and As (In and As oxyfluorides) and indium oxide (In2O3). Fluorine is accumulated near InAs-AOF boundary. Increasing of the current density from 0.05 to 0.5 mA/cm2 at constant value of both forming voltage and electrolyte composition leads to fluorine concentration near AOF-InAs boundary increasing approximately in 3 times. In turn, the forming voltage increasing at fixed current density also increases the fluorine concentration near InAs-AOF boundary but in less extent: with forming voltage increasing on 5 V more the fluorine content in the bulk AOF increases in ~1.2 and ~1.5 times at current densities of 0.05 and 0.5 mA/cm2, respectively. Thus, it is possible to change fluorine content near AOF--InAs boundary at constant fluorine-containing components concentration in initial electrolyte by varying current density and forming voltage of anodic oxidation.

Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) исследован элементный и химический состав анодных оксидных пленок (АОП) арсенида индия, полученных анодным окислением в гальваностатическом режиме при двух значениях плотности анодного тока (j) в электролите, содержащем ионы фтора. Определены особенности процесса накопления атомов фтора при выращивании АОП и влияние значения j на этот процесс.

арсенид индияанодная оксидная пленкарентгеновская фотоэлек- тронная спектроскопияфторид-ионэлементный состав.indium arsenideanodic oxide filmX-ray photoelectron spectroscopyfluorineelemental composition.ReferencesАстахов В.П., Данилов Ю.А., Дудкин В.Ф., Лесников В.П., Сидорова Г.Ю., Суслов Л.А., Таубкин И.И., Эскин Ю.М. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. №. 3. С. 1-5.Астахов В.П., Данилов Ю.А., Дудкин В.Ф., Лесников В.П., Сидорова Г.Ю., Суслов Л.А., Таубкин И.И., Эскин Ю.М. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. №. 3. С. 1-5.Давыдов В.Н., Лоскутова Е.А., Фефелова И.И. // Микроэлектроника. 1986. Т. 15. № 5. С. 455-459.Давыдов В.Н., Лоскутова Е.А., Фефелова И.И. // Микроэлектроника. 1986. Т. 15. № 5. С. 455-459.Валишева Н.А., Гузев А.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Левцова Т.А., Панова З.В. // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 2. С. 99-106.Валишева Н.А., Гузев А.А., Ковчавцев А.П., Курышев Г.Л., Левцова Т.А., Панова З.В. // Микроэлектроника. 2009. Т. 38. № 2. С. 99-106.Валишева Н.А., Терещенко О.Е., Просвирин И.П., Калинкин А.В., Голяшов В.А., Левцова Т.А., Бухтияров В.И. // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 46. № 4. С. 569-575.Валишева Н.А., Терещенко О.Е., Просвирин И.П., Калинкин А.В., Голяшов В.А., Левцова Т.А., Бухтияров В.И. // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 46. № 4. С. 569-575.Valisheva N.A., Tereshchenko O.E., Prosvirin I.P., Levtsova T.A., Rodjakina E.E., Kovchavcev A.V. // Appl. Surface Sci. 2010. P. 5722-5726.Valisheva N.A., Tereshchenko O.E., Prosvirin I.P., Levtsova T.A., Rodjakina E.E., Kovchavcev A.V. // Appl. Surface Sci. 2010. P. 5722-5726.Urch D.S., Urch M.J.S. ESCA (Mg) - Auger table. London: Chemistry department, Queen Mary College, University of London, 1981. 52 р.Urch D.S., Urch M.J.S. ESCA (Mg) - Auger table. London: Chemistry department, Queen Mary College, University of London, 1981. 52 р.Jewett S., Zemlyanov D., Ivanisevic A. // Langmuir. 2011. № 27. P. 3774-3782.Jewett S., Zemlyanov D., Ivanisevic A. // Langmuir. 2011. № 27. P. 3774-3782.Seah M.P., Dench W.A. // Surface & Interface Analysis. 1979. V. 1. № 1. P. 1-11.Seah M.P., Dench W.A. // Surface & Interface Analysis. 1979. V. 1. № 1. P. 1-11.Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Eden Prairie, MN: Physical Electronics, Inc., 1995. 95 p.Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Eden Prairie, MN: Physical Electronics, Inc., 1995. 95 p.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.