Особенности импульсного фотонного отжига дефектов, введенных в кристаллы InSb при имплантации ионов Be+
Аннотация
Исследовановлияние режима отжига имплантированных ионами Ве+ слоев InSb импульсным излучением галогенных ламп на термо-э.д.с., измеренную на этих слоях. Изучены особенности влияния стадийного отжига, определены оптимальные число стадий, температуры и длительности каждой стадии. Полученные результаты обсуждены на основе представлений о возможных механизмах образования и трансформации радиационных дефектов.
Об авторах
А. В. Артамонов
МИТХТ им. М.В. Ломоносова
Россия
Россия
В. П. Астахов
ОАО «Московский завод «Сапфир»
Россия
Россия
В. В. Карпов
МИТХТ им. М.В. Ломоносова
Россия
Россия
А. Д. Максимов
МИТХТ им. М.В. Ломоносова
Россия
Россия
Список литературы
1. Стоянова И.Г., Скакун Н.А., Трохин А.С. Локализация атомов бериллия в кристаллической решетке антимонида индия при ионной имплантации // Поверхность: Физика, химия, механика. 1988. № 8. С. 144-146.
2. Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. - М.: Наука, 1981. С. 30.
3. Fujisawa Isao. Type conversion of InSb from p to n by ion bombardment and laser irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. 1980. V. 19. № 11. P. 2137-2141.
4. Шалимова К.В. Физика полупроводников. - М.: Энергия, 1976. С. 196-198.
5. Vaidya N., Huang H., Liang D. Grown-in defects of InSb crystals: Models and computation / Dep. of Mathematics & Statistics, York University. - Toronto, Canada M3J 1P3, 2005. P. 9.
6. Höglund A. Electronic structure calculations of point defects in semiconductors / Digital Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Faculty of Science and Technology 316. - Uppsala, Sweden, 2007. P. 102.
7. Declemya A., Sauvageb T., Kotaic E., Levequed P., Abd El-Atie M.I. Be- and Mg-ion implantation-induced damage in InSb // Materials Science in Semiconductor Processing. 2001. V. 4. № 1-3. P. 277-279.
8. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. - М.: Мир, 1974. 462 c. 1.
Рецензия
Для цитирования:
Артамонов А.В., Астахов В.П., Карпов В.В., Максимов А.Д. Особенности импульсного фотонного отжига дефектов, введенных в кристаллы InSb при имплантации ионов Be+. Тонкие химические технологии. 2012;7(3):46-50.
For citation:
Artamonov A.V., Astakhov V.P., Karpov V.V., Maximov A.D. Pulsed photon annealing of Ве+-implanted InSb layers. Fine Chemical Technologies. 2012;7(3):46-50. (In Russ.)
Просмотров:
401
Послать статью по эл. почте 
