Особенности электрохимического полирующего травления моно-кристаллического кремния в неокислительном травителе
Аннотация
Исследованы особенности электрохимического травления монокристаллического кремния n- и р-типа в неокислительном травителе на основе фтороводородной кислоты, подобном травителю, используемому при получении нанопористого кремния, однако содержащем менее 10-12% об. фтороводородной кислоты. Обнаружена пульсация на зависимости напряжения, прикладываемого к ячейке травления, от времени. Полученные результаты объяснены образованием высокоомного рыхлого слоя из сложных фторидов и оксидов кремния на поверхности кремниевой подложки, а также различием в характере травления кремния n- и р-типа.
Ключевые слова
нанопористый кремний,
электролитическое травление,
тонкий поверхностный слой,
гальваностатический режим,
пульсация,
высокоомный слой
621.315.594
Об авторах
Е. А. Шелонин
МИТХТ им. М.В. Ломоносова
Россия
Россия
А. М. Хорт
МИТХТ им. М.В. Ломоносова
Россия
Россия
А. Г. Яковенко
МИТХТ им. М.В. Ломоносова
Россия
Россия
А. А. Гвелесиани
МИТХТ им. М.В. Ломоносова
Россия
Россия
Е. Н. Абрамова
МИТХТ им. М.В. Ломоносова
Россия
Россия
Список литературы
1. Memming R., Sckwandt G. Anodi dissolution of silicon in hydrofluoric acid solution // Surface Sci. 1966. V. 4. № 2. Р. 109-124.
2. Turner D.R. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // Electrochem. Soc. 1958. V. 5. № 7. Р .402-405.
3. Unagami T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution // J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. № 2. P. 476-483.
4. Unagami T., Seki M. Structure of porous silicon and heat treatment effect // J. Electrochem. Soc. 1978. V. 125. № 8. P. 1339-1344.
5. Николаев К.П., Немировский Л.Н., Новицкий В.М. Особенности формирования пористого кремния на слаболегированных подложках из кремния электронного типа проводимости // Электронная техника. 1985. Вып. 3 (176). С. 81-85.
6. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Глиненко Л.К. Формирование пористого кремния на кремнии n+-типа проводимости // Изв. АН БССЗ. 1983. № 1. C. 55-59.
7. Лабунов В.А., Бондаренко В.П., Глиненко Л.К., Басманов И.Н. Исследование процесса формирования пористого кремния и автоэпитаксии на его поверхности // Микроэлектроника. 1983. Вып. 1. С. 11-16.
Рецензия
Для цитирования:
Шелонин Е.А., Хорт А.М., Яковенко А.Г., Гвелесиани А.А., Абрамова Е.Н. Особенности электрохимического полирующего травления моно-кристаллического кремния в неокислительном травителе. Тонкие химические технологии. 2012;7(4):84-87.
For citation:
Shelonin E.A., Kort A.M., Yakovenko A.G., Gvelesiani A.A., Abramova E.N. Specific features of electrochemical polishing etch of single crystal silicon in a non-oxidizing etching agent. Fine Chemical Technologies. 2012;7(4):84-87. (In Russ.)
Просмотров:
327
Послать статью по эл. почте 
