Для цитирования:

Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А. МЕХАНИЗМ ТРАВЛЕНИЯ GаAs В ПРОЦЕССЕ ЛЕГИРОВАНИЯ ТЕТРАХЛОРИДОМ УГЛЕРОДА В УСЛОВИЯХ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ. Тонкие химические технологии. 2013;8(4):77-79.

For citation:

Bagaev Т.А., Ladugin М.А., Padalitsa А.А., Marmalyuk А.А. ETCHING MECHANISM OF CCl₄-DOPED GaAs GROWN BY MOCVD. Fine Chemical Technologies. 2013;8(4):77-79. (In Russ.)