ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ПРОЦЕСС ПОЛУЧЕНИЯ КВАНТОВЫХ ЯМ InGaAs/AlGaAs МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ
Аннотация
П редставлены результаты по определению границы устойчивости гетероструктур с кван-товыми ямами InGaAs/AlGaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии. Экспериментально доказано наличие критического значения эффективного напряжения, после превышения которого начинается активное дефектообразование. Установлено, что компенсация упругих напряжений в сильнонапряженных квантовых ямах InGaAs приводит к увеличению интенсивности их фото-люминесценции. Показано, что исключение влияния обменного взаимодействия As/P на гете-рограницах квантовых ям позволяет существенно поднять интенсивность излучения
Об авторах
Т. А. Багаев
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
кафедра Материалов микро-, опто- и наноэлектроники, аспирант
Россия
кафедра Материалов микро-, опто- и наноэлектроники, аспирант
М. А. Ладугин
ООО «Сигм Плюс», Москва, 117342
Россия
нач. лаборатории
Россия
нач. лаборатории
А. А. Падалица
ООО «Сигм Плюс», Москва, 117342
Россия
нач. отдела
Россия
нач. отдела
А. А. Мармалюк
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86;
ООО «Сигм Плюс», Москва, 117342
Россия
кафедра Материалов микро-, опто- и наноэлектроники, зам. директора по науке
Россия
кафедра Материалов микро-, опто- и наноэлектроники, зам. директора по науке
Список литературы
1. Дураев В.П., Мармалюк А.А., Падалица А.А., Петровский А.В., Рябоштан Ю.А., Сумароков М.А., Сухарев А.В. Влияние барьерных слоев GaAsP на параметры лазерных InGaAs/AlGaAs-диодов спектрального диапазона 1050-1100 нм // Квантовая электроника. 2005. Т. 35 С. 909-911.
2. Matthews J.W., Blakeslee A.E. Defects in epitaxial multilayers: I. Misfit dislocations // J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 118-125.
3. Dodson B.W., Tsao J.Y. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow // Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. № 17. P. 1325-1327.
4. Tsao J.Y., Dodson B.W. Excess stress and the stability of strained heterostructures // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 53. № 10. Р. 848-850.
5. Brown D. Anion exchange at the interfaces of mixed anion III-V heterostructures grown by molecular beam epitaxy: diss… Ph.D. in Electrical and Computer Engineering. Georgia Institute of Technology, 2003. 131 p.
Рецензия
Для цитирования:
Багаев Т.А., Ладугин М.А., Падалица А.А., Мармалюк А.А. ВЛИЯНИЕ УПРУГИХ НАПРЯЖЕНИЙ НА ПРОЦЕСС ПОЛУЧЕНИЯ КВАНТОВЫХ ЯМ InGaAs/AlGaAs МЕТОДОМ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИИ. Тонкие химические технологии. 2013;8(4):73-76.
For citation:
Bagaev Т.А., Ladugin М.А., Padalitsa А.А., Marmalyuk А.А. THE EFFECT OF ELASTIC STRESS ON THE PROCESS OF OBTAINING InGaAs/AlGaAs QUANTUM WELL BY MOCVD. Fine Chemical Technologies. 2013;8(4):73-76. (In Russ.)
Просмотров:
349
Послать статью по эл. почте 
