Preview

Тонкие химические технологии

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ CdхHg1-хTe НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ

Аннотация

У становлена корреляция между фотоэлектрическими дефектами матричных фотоприемных устройств и дефектами гетероэпитаксиальных слоев твердых растворов CdхHg1-хTe, выра-щенных молекулярно-лучевой эпитаксией, на основе которых создаются фоточувствительные элементы для матричных устройств.

Об авторах

В. В. Арбенина
Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова
Россия


А. С. Кашуба
ОАО «НПО «Орион»
Россия


Е. В. Пермикина
ОАО «НПО «Орион»
Россия


Список литературы

1. Любченко А.В., Сальков Е.А., Сизов Ф.Ф. Физические основы полупроводниковой инфра-красной фотоэлектроники. – Киев: Наукова думка, 1984. С. 94–127.

2. Филачёв А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды. – М.: Физматкнига, 2011. С. 5–135.

3. Филиппов С.Н., Болтарь К.О. Исследование механизмов переноса заряда в фотодиодах на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe // Труды МФТИ. 2010. Т. 2. № 1(5). С. 54–65.

4. Болтарь К.О., Яковлева Н.И. Моделирование вольт-амперных характеристик фотодиодов из КРТ // Прикладная физика. 2004. № 3. С. 82–88.

5. Permikina E.V., Kashuba A.S., Arbenina V.V. Defects in CdxHg1-xTe-based heterostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs-substrates (310) // Inorgan. Materials. 2012. V. 48. № 7. Р. 665–670.

6. Sabinina I.V., Gutakovsky A.K,. Sidorov Yu.G, Latyshev A.V. Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 2005. № 274. Р. 339–346.


Рецензия

Для цитирования:


Арбенина В.В., Кашуба А.С., Пермикина Е.В. ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ CdхHg1-хTe НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ. Тонкие химические технологии. 2013;8(6):82-87.

For citation:


Arbenina V.V., Kashuba A.S., Permikina Е.V. Influence of CdхHg1-хTe epitaxial layers defects on photo-electric parameters of matrix detector devices. Fine Chemical Technologies. 2013;8(6):82-87. (In Russ.)

Просмотров: 331


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International License.


ISSN 2410-6593 (Print)
ISSN 2686-7575 (Online)