ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ CdхHg1-хTe НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ
Аннотация
Об авторах
В. В. АрбенинаРоссия
А. С. Кашуба
Россия
Е. В. Пермикина
Россия
Список литературы
1. Любченко А.В., Сальков Е.А., Сизов Ф.Ф. Физические основы полупроводниковой инфра-красной фотоэлектроники. – Киев: Наукова думка, 1984. С. 94–127.
2. Филачёв А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А. Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды. – М.: Физматкнига, 2011. С. 5–135.
3. Филиппов С.Н., Болтарь К.О. Исследование механизмов переноса заряда в фотодиодах на основе эпитаксиальных слоев CdHgTe // Труды МФТИ. 2010. Т. 2. № 1(5). С. 54–65.
4. Болтарь К.О., Яковлева Н.И. Моделирование вольт-амперных характеристик фотодиодов из КРТ // Прикладная физика. 2004. № 3. С. 82–88.
5. Permikina E.V., Kashuba A.S., Arbenina V.V. Defects in CdxHg1-xTe-based heterostructures grown by molecular beam epitaxy on GaAs-substrates (310) // Inorgan. Materials. 2012. V. 48. № 7. Р. 665–670.
6. Sabinina I.V., Gutakovsky A.K,. Sidorov Yu.G, Latyshev A.V. Nature of V-shaped defects in HgCdTe epilayers grown by molecular beam epitaxy // J. Crystal Growth. 2005. № 274. Р. 339–346.
Рецензия
Для цитирования:
Арбенина В.В., Кашуба А.С., Пермикина Е.В. ВЛИЯНИЕ ДЕФЕКТОВ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ CdхHg1-хTe НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МАТРИЧНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ. Тонкие химические технологии. 2013;8(6):82-87.
For citation:
Arbenina V.V., Kashuba A.S., Permikina Е.V. Influence of CdхHg1-хTe epitaxial layers defects on photo-electric parameters of matrix detector devices. Fine Chemical Technologies. 2013;8(6):82-87. (In Russ.)