Preview

Тонкие химические технологии

Расширенный поиск

Компьютерное моделирование процессов полупроводниковой технологии с помощью информационно-расчетной системы

Аннотация

Разработана информационно-расчетная система (ИРС), которая позволяет средствами компьютерной техники решать наиболее важные технологические задачи, связанные с формированием монокристаллов и эпитаксиальных гетероструктур на основе полупроводниковых соединений типа AIIIBV. Приведен перечень решаемых с помощью ИРС задач, даны примеры использования базы данных для конкретных полупроводниковых систем.

Об авторах

В. В. Арбенина
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
Кафедра материаловедения и технологии функциональных материалов и структур, доцент


Р. Х. Акчурин
МИТХТ им. М.В. Ломоносова,119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
Кафедра материаловедения и технологии функциональных материалов и структур, профессор


Л. Б. Берлинер
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
Кафедра материаловедения и технологии функциональных материалов и структур, ведущий научный сотрудник


Список литературы

1. Guggenheim E.A. Mixtures. London: Oxford, 1952. 651 p.

2. Vialand L. J. // Acta Metallurgica, 1963. V. 11. № 2. P. 137-142.

3. Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б. Компьютерное моделирование процессов полупроводниковой технологии. I. Моделирование процесса жидкофазной эпитаксии: учебно-метод. пособие. М.: ИПЦ МИТХТ, 1998. 58 с.

4. Jordan A. S., Ilegems M. // J. Phys. Chem. Solids. 1975. V. 36. № 2. P. 329-342


Рецензия

Для цитирования:


Арбенина В.В., Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б. Компьютерное моделирование процессов полупроводниковой технологии с помощью информационно-расчетной системы. Тонкие химические технологии. 2015;10(3):70-76.

For citation:


Arbenina V.V., Akchurin R.Kh., Berliner L.B. Computer modeling of processes of semiconductor technology through information-calculating system. Fine Chemical Technologies. 2015;10(3):70-76. (In Russ.)

Просмотров: 325


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International License.


ISSN 2410-6593 (Print)
ISSN 2686-7575 (Online)