chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-239Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВComputer modeling of processes of semiconductor technology through information-calculating systemКомпьютерное моделирование процессов полупроводниковой технологии с помощью информационно-расчетной системыАрбенинаВ. В.ArbeninaV. V.

Кафедра материаловедения и технологии функциональных материалов и структур, доцент

arbenina@mitht.ruАкчуринР. Х.AkchurinR. Kh.

Кафедра материаловедения и технологии функциональных материалов и структур, профессор

noemail@neicon.ruБерлинерЛ. Б.BerlinerL. B.

Кафедра материаловедения и технологии функциональных материалов и структур, ведущий научный сотрудник

noemail@neicon.ruМИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86РоссияM.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571Russian FederationМИТХТ им. М.В. Ломоносова,119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86РоссияM.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571Russian Federation2015280620151037076Copyright © Arbenina V.V., Akchurin R.K., Berliner L.B., 20152015Арбенина В.В., Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б.Arbenina V.V., Akchurin R.K., Berliner L.B.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/239

An information-calculating system (ICS) that allows computer simulation of processes of semiconductor technology associated with the formation of single crystals and epitaxial heterostructures based on semiconductor AIIIBV compounds was developed. The ICS database covers 9 of AIIIBV compounds and solid solutions based on semiconductor AIIIBV compounds in 18 ternary and 15 four-component systems. The ICS allows solving problems related to the calculation of heterogeneous equilibria in these systems, stability of the formed solid solutions to decay, kinetics of epitaxial growth of heterostructures and non-equilibrium phenomena accompanying heteroepitaxy. In order to create the ICS, we used object-oriented programming Object Windows application programs compiled in the programming language Borland C++ in the Windows environment. Examples of the use of the database for particular semiconductor systems are presented.The above list of problems could be solved with the use of the ICS. The ICS can be used both in research and in educational practice.

Разработана информационно-расчетная система (ИРС), которая позволяет средствами компьютерной техники решать наиболее важные технологические задачи, связанные с формированием монокристаллов и эпитаксиальных гетероструктур на основе полупроводниковых соединений типа AIIIBV. Приведен перечень решаемых с помощью ИРС задач, даны примеры использования базы данных для конкретных полупроводниковых систем.

информационно-расчетная система (ИРС)полупроводниковая техно- логиядиаграмма фазового состоянияквазибинарный разрез.iinformation-calculating system (ICS)semiconductor technologythe phase equilibrium diagramthe quasi-binary section.ReferencesGuggenheim E.A. Mixtures. London: Oxford, 1952. 651 p.Guggenheim E.A. Mixtures. London: Oxford, 1952. 651 p.Vialand L. J. // Acta Metallurgica, 1963. V. 11. № 2. P. 137-142.Vialand L. J. // Acta Metallurgica, 1963. V. 11. № 2. P. 137-142.Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б. Компьютерное моделирование процессов полупроводниковой технологии. I. Моделирование процесса жидкофазной эпитаксии: учебно-метод. пособие. М.: ИПЦ МИТХТ, 1998. 58 с.Акчурин Р.Х., Берлинер Л.Б. Компьютерное моделирование процессов полупроводниковой технологии. I. Моделирование процесса жидкофазной эпитаксии: учебно-метод. пособие. М.: ИПЦ МИТХТ, 1998. 58 с.Jordan A. S., Ilegems M. // J. Phys. Chem. Solids. 1975. V. 36. № 2. P. 329-342Jordan A. S., Ilegems M. // J. Phys. Chem. Solids. 1975. V. 36. № 2. P. 329-342

The authors declare that there are no conflicts of interest present.