База данных по свойствам и технологическим характеристикам полупроводниковых материалов.
Аннотация
Об авторах
Т. В. СтольниковаРоссия
кафедра Информационных технологий, магистр
К. Ю. Колыбанов
Россия
кафедра Информационных технологий, доцент
В. В. Арбенина
Россия
кафедра Материалов микро-,опто- и наноэлектроники, доцент
Список литературы
1. Киселёва, Н. Н. Компьютерное конструирование неорганических соединений: использование баз данных и методов искусственного интеллекта / Н. Н. Киселёва. – М. : Наука, 2005. – 286 с.
2. Кузнецов, С. Д. Основы современных баз данных / С. Д. Кузнецов // Информационноаналитические материалы Центра Информационных Технологий.
3. Connolly, Thomas M. Database systems. A practical approach to design, Implementation, and management / Thomas M. Connolly, Carolyn E. Begg. – М. : ИД «Вильямс», 2003. – 1440 c.
4. Дейт, К. Дж. Введение в системы баз данных / К. Дж. Дейт. – М. : ИД «Вильямс», 2002. – 1072 с.
5. В.В. Кириллов. Основы проектирования реляционных баз данных. – Режим доступа: http://www.citforum.ru/database/dbguide/index.shtml
6. http://www.hist.msu.ru/Labs/HisLab/BOOKS/p4_Access.pdf
7. Дженнингс, Роджер. Использование Microsoft Access 2002 / Роджер Дженнингс. – М. : ИД «Вильямс», 2002. – 1007 с.
8. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / Под ред. Л. Н. Новоселовой, В. Б. Лазарева. – М. : Наука, 1979. – 338 с.
9. Лебедев, С. С. Соединения А3В5 / С. С. Лебедев, В. В. Стрельченко. – М. : Металлургия, 1991. – 350 с.
10. Хансен, М. Структуры двойных сплавов / М. Хансен, К. Андерко. – М. : Металлургиздат, 1962. – Т. I. – 608 с., Т. II. – 1488 с.
11. http://www.BD.com
12. http://www.nsc.ru/win/docs/db/rdbms/5-1.html
Рецензия
Для цитирования:
Стольникова Т.В., Колыбанов К.Ю., Арбенина В.В. База данных по свойствам и технологическим характеристикам полупроводниковых материалов. Тонкие химические технологии. 2008;3(4):94-100.
For citation:
Stol'nikova T.V., Kolybanov K.Yu., Arbenina V.V. Database on properties and technical characteristics of semiconductor materials. Fine Chemical Technologies. 2008;3(4):94-100. (In Russ.)