Preview

Тонкие химические технологии

Расширенный поиск

ТЕХНОЛОГИЯ ПОДГОТОВКИ ГЕРМАНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ КРТ

Аннотация

Разработана технология подготовки германиевых подложек с ориентацией (211) для гетеро-эпитаксии твердых растворов теллуридов кадмия-ртути (КРТ) на основе комбинации различных методов обработки, включая полировку, травление и отмывку. Результаты исследования полученных образцов свидетельствуют о высоком качестве подготовки поверхности, обеспечи-вающем в дальнейшем получение гетероэпитаксиальных слоев КРТ с необходимыми структурными характеристиками.

Об авторах

А. Л. Сизов
ОАО «НПО «Орион», Москва, 111123
Россия
инженер-технолог 2 кат.


И. Д. Бурлаков
ОАО «НПО «Орион», Москва, 111123
Россия
заместитель генерального директора по инновациям и науке


Н. И. Яковлева
ОАО «НПО «Орион», Москва, 111123
Россия
заместитель начальника научно-исследовательского центра


Е. Д. Коротаев
ОАО «НПО «Орион», Москва, 111123
Россия
инженер-электроник 1 кат.


А. Е. Мирофянченко
ОАО «НПО «Орион», Москва, 111123
Россия
инженер-технолог 2 кат.


Список литературы

1. Henini M., Razeghi M.Ed. Handbook of Infrared Detection Technologies. - Oxford: Elsevier Science, 2002. Р. 318-320.

2. Dhanaraj G., Byrappa K., Prasad V., Dudley M. Hadbook of Crystal Growth. - NY: Springer, 2010. 1102 p.

3. Варавин В.С., Гутаковский А.К., Дворецкий С.А., Карташев В.А., Латышев А.В., Михайлов Н.Н., Придачин Д.Н., Ремесник В.Г., Рыхлицкий С.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Титов В.П., Швец В.А., Якушев М.В., Асеев А.Л. Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2002. № 6. С. 25-41.

4. Vilela M.F., Buell A.A., Newton M.D., Venzor G.M., Childs A.C., Peterson J.M., Franklin J.J., Bornfreund R.E., Radford W.A., Johnson S.M. Control and growth of middle wave infrared (MWIR) Hg1−xCdxTe on Si by molecular beam epitaxy //J. Electron. Mater. 2005. V. 34. № 6. P. 898-904.

5. Zanatta J.P., Ferret P., Theret G., Million A., Wolny M., Chamonal J.P., Destefanis G. Hetero-epitaxy of HgCdTe (211)B on Ge substrates by molecular beam epitaxy for infrared detectors // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. № 6. P. 542-545.

6. Tribolet P., Blondel S., Costa P., Combette A., Vial L., Destefanis G., Ballet P., Zanatta J.P., Gravrand O., Largeron C., Chamonal J.P., Million A. MWIR focal planes arrays made with HgCdTe grown by MBE on germanium substrates // Proc. SPIE. 2006. V. 6206. [6206-82]. doi:10.1117/12.669120.

7. Zanatta J.P., Badano G., Ballet P., Largeron C., Baylet J., Gravrand O., Rothman J., Castelein P., Chamonal J.P., Million A., Destefanis G., Mibord S., Brochier E., Costa P. Molecular beam epitaxy growth of HgCdTe on Ge for third-generation infrared detectors // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. № 6. P. 1231-1236.

8. Zanatta J.P., Duvaut P., Ferret P., Million A., Destefanis G., Rambaud P., Vannuffel C. Growth of HgCdTe and CdTe(331)B on germanium substrate by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 2984-2996.

9. Якушев М.В., Брунев Д.В, Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Предеин А.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сорочкин А.В. Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 3. C. 396-402.


Рецензия

Для цитирования:


Сизов А.Л., Бурлаков И.Д., Яковлева Н.И., Коротаев Е.Д., Мирофянченко А.Е. ТЕХНОЛОГИЯ ПОДГОТОВКИ ГЕРМАНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ КРТ. Тонкие химические технологии. 2013;8(5):94-98.

For citation:


Sizov A.L., Burlakov I.D., Yakovleva N.I., Korotaev E.D., Mirofyanchenko A.E. INVESTIGATION OF Ge SUBSTRATES FOR MCT GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY. Fine Chemical Technologies. 2013;8(5):94-98. (In Russ.)

Просмотров: 402


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International License.


ISSN 2410-6593 (Print)
ISSN 2686-7575 (Online)