chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-535Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВINVESTIGATION OF Ge SUBSTRATES FOR MCT GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXYТЕХНОЛОГИЯ ПОДГОТОВКИ ГЕРМАНИЕВЫХ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ КРТСизовА. Л.SizovA. L.

инженер-технолог 2 кат.

rinsarz@gmail.comБурлаковИ. Д.BurlakovI. D.

заместитель генерального директора по инновациям и науке

noemail@neicon.ruЯковлеваН. И.YakovlevaN. I.

заместитель начальника научно-исследовательского центра

noemail@neicon.ruКоротаевЕ. Д.KorotaevE. D.

инженер-электроник 1 кат.

noemail@neicon.ruМирофянченкоА. Е.MirofyanchenkoA. E.

инженер-технолог 2 кат.

noemail@neicon.ruОАО «НПО «Орион», Москва, 111123Россия«RD&P Center «Orion», Moscow, 111123Russian Federation201328102013859498Copyright © Sizov A.L., Burlakov I.D., Yakovleva N.I., Korotaev E.D., Mirofyanchenko A.E., 20132013Сизов А.Л., Бурлаков И.Д., Яковлева Н.И., Коротаев Е.Д., Мирофянченко А.Е.Sizov A.L., Burlakov I.D., Yakovleva N.I., Korotaev E.D., Mirofyanchenko A.E.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/535

Methods of chem-mech polishing and chemical etching were described, and characteristics of Ge wafers were investigated corresponding to technical requirements of MBE growth. Investigation methods included optical microscopy, X-ray diffraction analysis, high-resolution diffraction analysis, AFM and IR-Fourier microscopy.

Разработана технология подготовки германиевых подложек с ориентацией (211) для гетеро-эпитаксии твердых растворов теллуридов кадмия-ртути (КРТ) на основе комбинации различных методов обработки, включая полировку, травление и отмывку. Результаты исследования полученных образцов свидетельствуют о высоком качестве подготовки поверхности, обеспечи-вающем в дальнейшем получение гетероэпитаксиальных слоев КРТ с необходимыми структурными характеристиками.

КРТгерманийподложкамолекулярно-лучевая эпитаксиягетероэпитакси-альные структурыморфология поверхностиструктурные свойстваMCTgermaniumsubstratemolecular beam epitaxyheteroepitaxial structuressurfacestructural properties.ReferencesHenini M., Razeghi M.Ed. Handbook of Infrared Detection Technologies. - Oxford: Elsevier Science, 2002. Р. 318-320.Henini M., Razeghi M.Ed. Handbook of Infrared Detection Technologies. - Oxford: Elsevier Science, 2002. Р. 318-320.Dhanaraj G., Byrappa K., Prasad V., Dudley M. Hadbook of Crystal Growth. - NY: Springer, 2010. 1102 p.Dhanaraj G., Byrappa K., Prasad V., Dudley M. Hadbook of Crystal Growth. - NY: Springer, 2010. 1102 p.Варавин В.С., Гутаковский А.К., Дворецкий С.А., Карташев В.А., Латышев А.В., Михайлов Н.Н., Придачин Д.Н., Ремесник В.Г., Рыхлицкий С.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Титов В.П., Швец В.А., Якушев М.В., Асеев А.Л. Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2002. № 6. С. 25-41.Варавин В.С., Гутаковский А.К., Дворецкий С.А., Карташев В.А., Латышев А.В., Михайлов Н.Н., Придачин Д.Н., Ремесник В.Г., Рыхлицкий С.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Титов В.П., Швец В.А., Якушев М.В., Асеев А.Л. Состояние и перспективы молекулярно-лучевой эпитаксии CdxHg1-xTe // Прикладная физика. 2002. № 6. С. 25-41.Vilela M.F., Buell A.A., Newton M.D., Venzor G.M., Childs A.C., Peterson J.M., Franklin J.J., Bornfreund R.E., Radford W.A., Johnson S.M. Control and growth of middle wave infrared (MWIR) Hg1−xCdxTe on Si by molecular beam epitaxy //J. Electron. Mater. 2005. V. 34. № 6. P. 898-904.Vilela M.F., Buell A.A., Newton M.D., Venzor G.M., Childs A.C., Peterson J.M., Franklin J.J., Bornfreund R.E., Radford W.A., Johnson S.M. Control and growth of middle wave infrared (MWIR) Hg1−xCdxTe on Si by molecular beam epitaxy //J. Electron. Mater. 2005. V. 34. № 6. P. 898-904.Zanatta J.P., Ferret P., Theret G., Million A., Wolny M., Chamonal J.P., Destefanis G. Hetero-epitaxy of HgCdTe (211)B on Ge substrates by molecular beam epitaxy for infrared detectors // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. № 6. P. 542-545.Zanatta J.P., Ferret P., Theret G., Million A., Wolny M., Chamonal J.P., Destefanis G. Hetero-epitaxy of HgCdTe (211)B on Ge substrates by molecular beam epitaxy for infrared detectors // J. Electron. Mater. 1998. V. 27. № 6. P. 542-545.Tribolet P., Blondel S., Costa P., Combette A., Vial L., Destefanis G., Ballet P., Zanatta J.P., Gravrand O., Largeron C., Chamonal J.P., Million A. MWIR focal planes arrays made with HgCdTe grown by MBE on germanium substrates // Proc. SPIE. 2006. V. 6206. [6206-82]. doi:10.1117/12.669120.Tribolet P., Blondel S., Costa P., Combette A., Vial L., Destefanis G., Ballet P., Zanatta J.P., Gravrand O., Largeron C., Chamonal J.P., Million A. MWIR focal planes arrays made with HgCdTe grown by MBE on germanium substrates // Proc. SPIE. 2006. V. 6206. [6206-82]. doi:10.1117/12.669120.Zanatta J.P., Badano G., Ballet P., Largeron C., Baylet J., Gravrand O., Rothman J., Castelein P., Chamonal J.P., Million A., Destefanis G., Mibord S., Brochier E., Costa P. Molecular beam epitaxy growth of HgCdTe on Ge for third-generation infrared detectors // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. № 6. P. 1231-1236.Zanatta J.P., Badano G., Ballet P., Largeron C., Baylet J., Gravrand O., Rothman J., Castelein P., Chamonal J.P., Million A., Destefanis G., Mibord S., Brochier E., Costa P. Molecular beam epitaxy growth of HgCdTe on Ge for third-generation infrared detectors // J. Electron. Mater. 2006. V. 35. № 6. P. 1231-1236.Zanatta J.P., Duvaut P., Ferret P., Million A., Destefanis G., Rambaud P., Vannuffel C. Growth of HgCdTe and CdTe(331)B on germanium substrate by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 2984-2996.Zanatta J.P., Duvaut P., Ferret P., Million A., Destefanis G., Rambaud P., Vannuffel C. Growth of HgCdTe and CdTe(331)B on germanium substrate by molecular beam epitaxy // Appl. Phys. Lett. 1997. V. 71. P. 2984-2996.Якушев М.В., Брунев Д.В, Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Предеин А.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сорочкин А.В. Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 3. C. 396-402.Якушев М.В., Брунев Д.В, Варавин В.С., Васильев В.В., Дворецкий С.А., Марчишин И.В., Предеин А.В., Сабинина И.В., Сидоров Ю.Г., Сорочкин А.В. Гетероструктуры HgCdTe на подложках Si(310) для инфракрасных фотоприемников средневолнового спектрального диапазона // Физика и техника полупроводников. 2011. Т. 45. Вып. 3. C. 396-402.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.