Использование методов микроскопии высокого разрешения для изучения морфологии поверхности полупроводниковых материалов

Рассмотрены основные принципы растровой электронной (РЭМ) и атомно-силовой микроскопий (АСМ). Проведен сравнительный анализ этих методов в отношении факторов рабочей среды, определении состава и исследования морфологии поверхности. Показана применимость этих методов для исследования морфологии поверхности и других важных параметров полупроводниковых структур.

АСМ, РЭМ, морфология поверхности, определение состава, теллурид кадмия-ртути (КРТ), InSb, AlGaN, InGaAs.

1. Филачев А.М., Таубкин И.И., Тришенков М.А.. Твердотельная фотоэлектроника. Фоторезисторы и фотоприёмные устройства. М: Физматкнига, 2012. 367 c.

2. Watt I.M. The Principles and Practice of Electron Microscopy. Cambridge: Cambridge University Press, 1985. 303 p.

3. Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д., Эчлин П., Джой Д., Фиори Ч., Лифшин Ф. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: в 2-х кн. Пер. с англ. М.: Мир, 1984. 303 с.

4. Барышников Ф.М., Зайцев А.А., Концевой Ю.А. // Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы. 2010. Т. 225. С. 8-12 .

5. Binnig G., Quate C.F., Gerber Ch. // Physical Review Letters. 1986. V. 56. I. 9. Р. 1-2 .

6. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Н.Новгород: Техносфера, 2004. 144 c.

7. Russell P., Batchelor D., Thornton J. // Microscopy and Analysis. 2000. V. 49. Р. 1-9.

8. Sun W., Fan H., Peng Z., Zhang L., Zhang X., Zhang L., Lu Z., Si J., Emelyanov E., Putyato M., Semyagin B., Pchelyakov O., Preobrazhenskii V. // Infrared Physics & Technology. 2014. V. 62. P. 143-146.

9. Сизов А.Л., Бурлаков И.Д., Яковлева Н.И., Коротаев Е.Д., Мирофянченко А.Е. // Вестник МИТХТ. 2013. Т. 8. № 5. С. 94-98

10. Пермикина Е.В., Кашуба А.С., Арбенина В.В. // Неорг. материалы. 2012. Т. 48. № 7. C. 765-770.

11. Пермикина Е.В., Кашуба А.С., Ляликов А.В., Коротаев Е.Д., Бурлаков И.Д. // Прикладная физика. 2012. № 5. С. 81-90.

12. Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. Приборы и устройства на широкозонных полупроводниках. М.: Техносфера, 2011. 416 c.

13. Neves B.R.A., Salmon M.E., Russell P.E., Troughton E.B. // Microscopy and Microanalysis, 1999. V. 49. P. 413-419.

14. Lemoine P., Lamberton R.W., Ogwu A.A. // J. App. Phys. 1999. V. 86. P. 6564-6570.

15. Власов А.И., Елсуков К.А., Косолапов И.А. Электронная микроскопия: учеб. пособие. М.: Издво МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2011. 168 с.

16. Мошников В.А., Спивак Ю.М., Алексеев П.А., Пермяков Н.В. Атомно-силовая микросокопия для исследования наноструктурированных материалов и приборных структур: учеб. пособие. СПб: Издво СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2014. 144 с.