Расчёт устойчивости многослойных квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/GaAs к вероятности образования дислокаций несоответствия
Аннотация
Определены области стабильности, метастабильности и нестабиль- ности многослойных квантово- размерных гетероструктур (ГС) InGaAs/GaAs к образованию дислокаций несоответствия (ДН). Установлен характер распределения напряжений в исследуемых образцах. Построены графики, позволяющие наглядно проследить изменение избыточных напряжений в квантовых ямах и барьерах.
Об авторах
А. А. Малджы
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
Россия
Р. Х. Акчурин
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
Россия
А. А. Мармалюк
ООО «Сигма Плюс»
Россия
Россия
Список литературы
1. Matthews J. W. //J. vac. sci. technol. – 1975. – V. 12. – P. 126.
2. Matthews J.W., Blakeslee A.E. //J. cryst. Growth. – 1974. – V. 27. – P. 118.
3. Frank F.C., Van der Merwe J. H. //Proc. roy. soc. london ser. – 1949. – V. 198. – P. 205.
4. People R. Bean J. C. //Appl. phys. lett. – 1985. – V. 47 – P. 322.
5. Tsao J. Y., Dodson B. W., Picraux S. T., Cornelison D. M. //Phys. rev. lett. –1987. –V. 59– P. 2455.
6. Tsao J. Y., Dodson B. W. //Appl. phys. lett. – 1988. – V. 53. – P. 848.
7. Houghton D. C. et al. //Appl. phys. lett. – 1990. – V. 68. – P. 1850.
8. Fisher A., Kuhne H., Eichler M., Hollander F., Richter H. //Phys. rev. B. – 1996. – V.54. –P. 8761.
9. Bai G. et al. //Appl. phys. lett. – 1994. – V. 75 – 4475
Рецензия
Для цитирования:
Малджы А.А., Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А. Расчёт устойчивости многослойных квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/GaAs к вероятности образования дислокаций несоответствия. Тонкие химические технологии. 2006;1(6):73-77.
For citation:
Maldzhy A.A., Akchurin R.Kh., Marmalyuk A.A. Estimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocations. Fine Chemical Technologies. 2006;1(6):73-77. (In Russ.)
Просмотров:
291
Послать статью по эл. почте 
