Исследование образования фотолюминесцирующего пористого кремния с характеризацией его пористостью

В работе показана необходимость использования уточненного параметра пористости для характеристики фотолюминесценции слоев пористого кремния, имеющих более сложную структуру по сравнению с обычными пористыми средами. Предложенный параметр пористости использован для сопоставления свойств пористого кремния с его характеристиками фотолюминесценции (ФЛ).

1. Лабунов, В. А. Пористый кремний в полупроводниковой электронике / В. А. Лабунов, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко // Зарубежная электронная техника. – 1978. – № 15. – С. 3–46.

2. Френкель, В. Э. Метод обработки результатов экспериментов, проведенных по оптимизированному плану / В. Э. Френкель, К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Электронная техника. Сер. 2 Полупроводниковые приборы. – 1986. – вып. 2(181). – С. 98–100.

3. Unagami, T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution / Т. Unagami // J. Electrochem. Soc. – 1980. – Vol. 127, № 2. – P. 476–483.

4. Unagami, T. Structure of porous silicon and heattreatment effect / T. Unagami, M. Seki // J. Electrochem. Soc. – 1978. – Vol. 125, № 8. – P. 1339–1344.

5. Светоизлучающие слои пористого кремния: получение, свойства и применение / С. В. Свечников [и др.] // Электронная техника. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1994. –вып. 27. – С. 3–28.

6. Visible light emission at room temperature from partially oxidized amorphous silicon / M. Stutzmann [et al] // Adv. Sol. State Phys. – 1992. – Vol. 32, № 1. – P. 1–19.

7. Turner, J. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions / J. Turner // J. Electrochem. Soc. – 1958. – Vol. 5, № 7. – P. 402–405.

8. Николаев, К. П. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике / К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 1980. – Вып. 9(1506). – С. 1–59.