Research of formation of photoluminescencing porous silicon with characterization its porosity.
Abstract
About the Authors
A. M. HortRussian Federation
E. A. Shelonin
Russian Federation
D. S. Nikulin
Russian Federation
A. G. Yakovenko
Russian Federation
References
1. Лабунов, В. А. Пористый кремний в полупроводниковой электронике / В. А. Лабунов, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко // Зарубежная электронная техника. – 1978. – № 15. – С. 3–46.
2. Френкель, В. Э. Метод обработки результатов экспериментов, проведенных по оптимизированному плану / В. Э. Френкель, К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Электронная техника. Сер. 2 Полупроводниковые приборы. – 1986. – вып. 2(181). – С. 98–100.
3. Unagami, T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution / Т. Unagami // J. Electrochem. Soc. – 1980. – Vol. 127, № 2. – P. 476–483.
4. Unagami, T. Structure of porous silicon and heattreatment effect / T. Unagami, M. Seki // J. Electrochem. Soc. – 1978. – Vol. 125, № 8. – P. 1339–1344.
5. Светоизлучающие слои пористого кремния: получение, свойства и применение / С. В. Свечников [и др.] // Электронная техника. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1994. –вып. 27. – С. 3–28.
6. Visible light emission at room temperature from partially oxidized amorphous silicon / M. Stutzmann [et al] // Adv. Sol. State Phys. – 1992. – Vol. 32, № 1. – P. 1–19.
7. Turner, J. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions / J. Turner // J. Electrochem. Soc. – 1958. – Vol. 5, № 7. – P. 402–405.
8. Николаев, К. П. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике / К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 1980. – Вып. 9(1506). – С. 1–59.
Review
For citations:
Hort A.M., Shelonin E.A., Nikulin D.S., Yakovenko A.G. Research of formation of photoluminescencing porous silicon with characterization its porosity. Fine Chemical Technologies. 2007;2(5):63-67. (In Russ.)