Research of formation of photoluminescencing porous silicon with characterization its porosity.
Abstract
In the article necessity of use of the specified parameter of porosity for characterization of PL layers of the porous silicon having more complex structure in comparison with usual porous mediums is shown. The provided parameter of porosity is used for comparison of properties of the porous silicon to it PL characteristics.
About the Authors
A. M. Hort
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Russian Federation
Russian Federation
E. A. Shelonin
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Russian Federation
Russian Federation
D. S. Nikulin
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Russian Federation
Russian Federation
A. G. Yakovenko
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Лабунов, В. А. Пористый кремний в полупроводниковой электронике / В. А. Лабунов, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко // Зарубежная электронная техника. – 1978. – № 15. – С. 3–46.
2. Френкель, В. Э. Метод обработки результатов экспериментов, проведенных по оптимизированному плану / В. Э. Френкель, К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Электронная техника. Сер. 2 Полупроводниковые приборы. – 1986. – вып. 2(181). – С. 98–100.
3. Unagami, T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution / Т. Unagami // J. Electrochem. Soc. – 1980. – Vol. 127, № 2. – P. 476–483.
4. Unagami, T. Structure of porous silicon and heattreatment effect / T. Unagami, M. Seki // J. Electrochem. Soc. – 1978. – Vol. 125, № 8. – P. 1339–1344.
5. Светоизлучающие слои пористого кремния: получение, свойства и применение / С. В. Свечников [и др.] // Электронная техника. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1994. –вып. 27. – С. 3–28.
6. Visible light emission at room temperature from partially oxidized amorphous silicon / M. Stutzmann [et al] // Adv. Sol. State Phys. – 1992. – Vol. 32, № 1. – P. 1–19.
7. Turner, J. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions / J. Turner // J. Electrochem. Soc. – 1958. – Vol. 5, № 7. – P. 402–405.
8. Николаев, К. П. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике / К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 1980. – Вып. 9(1506). – С. 1–59.
For citation:
Hort A.M., Shelonin E.A., Nikulin D.S., Yakovenko A.G. Research of formation of photoluminescencing porous silicon with characterization its porosity.. Fine Chemical Technologies. 2007;2(5):63-67. (In Russ.)
Views: 36
Email this article 