chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-1346Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВResearch of formation of photoluminescencing porous silicon with characterization its porosity.Исследование образования фотолюминесцирующего пористого кремния с характеризацией его пористостьюХортА. М.HortA. M.noemail@neicon.ruШелонинЕ. А.SheloninE. A.noemail@neicon.ruНикулинД. С.NikulinD. S.noemail@neicon.ruЯковенкоА. Г.YakovenkoA. G.noemail@neicon.ruМИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86Russian Federation200728102007256367Copyright © Hort A.M., Shelonin E.A., Nikulin D.S., Yakovenko A.G., 20072007Хорт А.М., Шелонин Е.А., Никулин Д.С., Яковенко А.Г.Hort A.M., Shelonin E.A., Nikulin D.S., Yakovenko A.G.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/1346

In the article necessity of use of the specified parameter of porosity for characterization of PL layers of the porous silicon having more complex structure in comparison with usual porous mediums is shown. The provided parameter of porosity is used for comparison of properties of the porous silicon to it PL characteristics.

В работе показана необходимость использования уточненного параметра пористости для характеристики фотолюминесценции слоев пористого кремния, имеющих более сложную структуру по сравнению с обычными пористыми средами. Предложенный параметр пористости использован для сопоставления свойств пористого кремния с его характеристиками фотолюминесценции (ФЛ).

ReferencesЛабунов, В. А. Пористый кремний в полупроводниковой электронике / В. А. Лабунов, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко // Зарубежная электронная техника. – 1978. – № 15. – С. 3–46.Лабунов, В. А. Пористый кремний в полупроводниковой электронике / В. А. Лабунов, В. П. Бондаренко, В. Е. Борисенко // Зарубежная электронная техника. – 1978. – № 15. – С. 3–46.Френкель, В. Э. Метод обработки результатов экспериментов, проведенных по оптимизированному плану / В. Э. Френкель, К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Электронная техника. Сер. 2 Полупроводниковые приборы. – 1986. – вып. 2(181). – С. 98–100.Френкель, В. Э. Метод обработки результатов экспериментов, проведенных по оптимизированному плану / В. Э. Френкель, К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Электронная техника. Сер. 2 Полупроводниковые приборы. – 1986. – вып. 2(181). – С. 98–100.Unagami, T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution / Т. Unagami // J. Electrochem. Soc. – 1980. – Vol. 127, № 2. – P. 476–483.Unagami, T. Formation mechanism of porous silicon layers by anodization in HF solution / Т. Unagami // J. Electrochem. Soc. – 1980. – Vol. 127, № 2. – P. 476–483.Unagami, T. Structure of porous silicon and heattreatment effect / T. Unagami, M. Seki // J. Electrochem. Soc. – 1978. – Vol. 125, № 8. – P. 1339–1344.Unagami, T. Structure of porous silicon and heattreatment effect / T. Unagami, M. Seki // J. Electrochem. Soc. – 1978. – Vol. 125, № 8. – P. 1339–1344.Светоизлучающие слои пористого кремния: получение, свойства и применение / С. В. Свечников [и др.] // Электронная техника. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1994. –вып. 27. – С. 3–28.Светоизлучающие слои пористого кремния: получение, свойства и применение / С. В. Свечников [и др.] // Электронная техника. Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 1994. –вып. 27. – С. 3–28.Visible light emission at room temperature from partially oxidized amorphous silicon / M. Stutzmann [et al] // Adv. Sol. State Phys. – 1992. – Vol. 32, № 1. – P. 1–19.Visible light emission at room temperature from partially oxidized amorphous silicon / M. Stutzmann [et al] // Adv. Sol. State Phys. – 1992. – Vol. 32, № 1. – P. 1–19.Turner, J. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions / J. Turner // J. Electrochem. Soc. – 1958. – Vol. 5, № 7. – P. 402–405.Turner, J. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions / J. Turner // J. Electrochem. Soc. – 1958. – Vol. 5, № 7. – P. 402–405.Николаев, К. П. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике / К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 1980. – Вып. 9(1506). – С. 1–59.Николаев, К. П. Особенности получения и области применения пористого кремния в электронной технике / К. П. Николаев, Л. Н. Немировский // Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. – 1980. – Вып. 9(1506). – С. 1–59.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.