Алгоритмические программы подбора оптимальных условий роста при выращивании эпитаксиальных слоев на основе GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
Аннотация
Разработан алгоритм, позволяющий при известных условиях проведения процесса МОГФЭ (металлоорганическая газофазная эпитаксия) определить характеристики получаемых слоев на основе GaAs и важнейшие технологические параметры процесса эпитаксии с использованием полуэмпирических зависимостей.
Об авторах
А. А. Мармалюк
ООО «Сигм Плюс», Москва
Россия
начальник отдела
Россия
начальник отдела
Д. Е. Арбенин
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
кафедра Информационных технологих, аспирант
Россия
кафедра Информационных технологих, аспирант
Е. В. Бурляева
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
кафедра Информационных технологий, профессор
Россия
кафедра Информационных технологий, профессор
Список литературы
1. Бурляева, Е. В. Создание программного комплекса на базе имитационного моделирования процесса МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых структур / Е. В. Бурляева, Д. Е.Арбенин // Теория и практика имитационного моделирования и создания тренажеров : сб. статей Юбилейной Междунар. научно-практической конф., Пенза, Россия, 22-24 мая 2007. - Пенза, 2007. - С. 106-108.
2. www.Aixtron.com. Growth of nitride films.
3. Мармалюк, А. А. Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 4. - С. 21-26.
4. Мармалюк, А. А. Легирование GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 3. - С. 14-19.
Рецензия
Для цитирования:
Мармалюк А.А., Арбенин Д.Е., Бурляева Е.В. Алгоритмические программы подбора оптимальных условий роста при выращивании эпитаксиальных слоев на основе GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии. Тонкие химические технологии. 2009;4(2):61-66.
For citation:
Marmalyuk A.A., Arbenin D.E., Burlyaeva E.V. The algorithmic programs for optimal growth conditions selection in growing of GaAs-based epitaxial layers by MOCVD. Fine Chemical Technologies. 2009;4(2):61-66. (In Russ.)
Просмотров:
336
Послать статью по эл. почте 
