Preview

Fine Chemical Technologies

Advanced search

The algorithmic programs for optimal growth conditions selection in growing of GaAs-based epitaxial layers by MOCVD.

Full Text:

Abstract

The algorithm was worked out, witch allows to define obtained GaAs-based layers characteristics and the most significant epitaxy process technological parameters on the base of half-empiric dependences, if MOCVD process carriage conditions are known.

Keywords


004.94:546.86.681

About the Authors

A. A. Marmalyuk
ООО «Сигм Плюс», Москва
Russian Federation


D. E. Arbenin
M.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571
Russian Federation


E. V. Burlyaeva
M.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571
Russian Federation


References

1. Бурляева, Е. В. Создание программного комплекса на базе имитационного моделирования процесса МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых структур / Е. В. Бурляева, Д. Е.Арбенин // Теория и практика имитационного моделирования и создания тренажеров : сб. статей Юбилейной Междунар. научно-практической конф., Пенза, Россия, 22-24 мая 2007. - Пенза, 2007. - С. 106-108.

2. www.Aixtron.com. Growth of nitride films.

3. Мармалюк, А. А. Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 4. - С. 21-26.

4. Мармалюк, А. А. Легирование GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 3. - С. 14-19.


For citation:


Marmalyuk A.A., Arbenin D.E., Burlyaeva E.V. The algorithmic programs for optimal growth conditions selection in growing of GaAs-based epitaxial layers by MOCVD. Fine Chemical Technologies. 2009;4(2):61-66. (In Russ.)

Views: 64


ISSN 2410-6593 (Print)
ISSN 2686-7575 (Online)