The algorithmic programs for optimal growth conditions selection in growing of GaAs-based epitaxial layers by MOCVD.
Abstract
The algorithm was worked out, witch allows to define obtained GaAs-based layers characteristics and the most significant epitaxy process technological parameters on the base of half-empiric dependences, if MOCVD process carriage conditions are known.
About the Authors
A. A. Marmalyuk
ООО «Сигм Плюс», Москва
Russian Federation
Russian Federation
D. E. Arbenin
M.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571
Russian Federation
Russian Federation
E. V. Burlyaeva
M.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Бурляева, Е. В. Создание программного комплекса на базе имитационного моделирования процесса МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых структур / Е. В. Бурляева, Д. Е.Арбенин // Теория и практика имитационного моделирования и создания тренажеров : сб. статей Юбилейной Междунар. научно-практической конф., Пенза, Россия, 22-24 мая 2007. - Пенза, 2007. - С. 106-108.
2. www.Aixtron.com. Growth of nitride films.
3. Мармалюк, А. А. Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 4. - С. 21-26.
4. Мармалюк, А. А. Легирование GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 3. - С. 14-19.
Review
For citations:
Marmalyuk A.A., Arbenin D.E., Burlyaeva E.V. The algorithmic programs for optimal growth conditions selection in growing of GaAs-based epitaxial layers by MOCVD. Fine Chemical Technologies. 2009;4(2):61-66. (In Russ.)
Views: 211
Email this article 
