Исследование морфологии гетероэпитаксиальных структур на основе фоточувствительного твердого раствора CdXHg1-XTe методами электронно-зондового анализа
Аннотация
Представлены результаты исследования морфологии эпитаксиальных слоев CdXHg1-XTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из арсенида галлия, ориентированных в плоскости (310). Особенности ростовых V-дефектов проанализированы с использованием методов электронно-зондовой микроскопии. Изучена их структура, ориентация, химический состав, причины возникновения и развития. Исследования выполнены с целью разработки методики технологического контроля процесса создания фоточувствительных многослойных гетероструктур на основе CdXHg1-XTe.
Об авторах
А. С. Кашуба
ФГУП «НПО «Орион»
Россия
ведущий инженер-технолог
Россия
ведущий инженер-технолог
А. В. Заблоцкий
Московский физико-технический институт
Россия
научный сотрудник
Россия
научный сотрудник
Е. В. Коростылев
Московский физико-технический институт
Россия
научный сотрудник
Россия
научный сотрудник
А. А. Кузин
Московский физико-технический институт
Россия
научный сотрудник
Россия
научный сотрудник
Е. В. Пермикина
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
кафедра Материалы микро-, опто- и наноэлектроники, ведущий инженер
Россия
кафедра Материалы микро-, опто- и наноэлектроники, ведущий инженер
В. В. Арбенина
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
кафедра Материалы микро-, опто- и наноэлектроники, доцент
Россия
кафедра Материалы микро-, опто- и наноэлектроники, доцент
Список литературы
1. Исследование состояния поверхности CdTe / А. К. Гутаковский [и др.] // Поверхность. - 1988. - № 9. - C. 80-88.
2. Defect formation during growth of CdTe(111) and HgCdTe films by molecular beam epitaxy / I. V. Sabinina [et al.] // J. Cryst. Growth. - 1992. - Vol. 117, № 1-4. - P. 238-243.
3. Defect formation during MBE growth of CdTe(111) / I. V. Sabinina [et al.] // Phys. stat. sol. (a). - 1991. - Vol. 126. - P. 181-188.
4. Фотолюминесценция пленок (111)CdTe, выращенных на (100) GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Е. А. Милохин [и др.] // Физика твердого тела. - 1991. - T. 33. - C. 1155-1160.
5. Sabinina, I. V. Preparation of TEM samples from compound semiconductors by chemomechanical polishing / I. V. Sabinina, A. K. Gutakovsky // Ultramicroscopy. - 1992. - Vol. 45. - P. 411-415.
6. Twinning in CdTe (111) films on (100) GaAs substrates / S. A. Dvoretsky [et al // Inst. Phys. Conf. Ser. - 1988. - Vol. 2, № 93. - P. 407-408.
7. Двойникование в пленках CdTe (111) на подложках GaAs(100) / В. И. Бударных [и др.] // Доклады АН. - 1989. - T. 304, № 3. - C. 604-607.
8. Melt Growth of CdTe Crystals and Transmission Electron Microscopic Investigation of their Grain Boundaries / I. V. Sabinina [et al.] // Cryst. Res. Technol. - 1991. - Vol. 26, № 8. - P. 967-972.
Рецензия
Для цитирования:
Кашуба А.С., Заблоцкий А.В., Коростылев Е.В., Кузин А.А., Пермикина Е.В., Арбенина В.В. Исследование морфологии гетероэпитаксиальных структур на основе фоточувствительного твердого раствора CdXHg1-XTe методами электронно-зондового анализа. Тонкие химические технологии. 2010;5(5):19-23.
For citation:
Kashuba А.С., Zablotsky A.V., Korostylev E.V., Kuzin A.A., Permikina E.V., Arbenina V.V. The study of morphology of heteroepytaxial structures on the basis of photosensitive layers CdXHg1-XTe by electron probe analysis methods. Fine Chemical Technologies. 2010;5(5):19-23. (In Russ.)
Просмотров:
333
Послать статью по эл. почте 
