Preview

Тонкие химические технологии

Расширенный поиск

Численный расчет радиационного теплообмена для процесса направленной кристаллизации CdZnTe

Аннотация

Предложен метод расчета радиационного теплообмена для процесса направленной кристаллизации. Метод основан на численном расчете тепловых потоков от стенок муфеля с заданной температурой к стенкам ампулы с определяемой температурой. Расчет проводили в два этапа: на первом этапе с помощью аналитических формул определяли вид угловых коэффициентов, на втором − рассчитывали тепловые потоки во множестве точек на стенках ампулы и штоке. Расчеты, проведенные для системы CdZnTe по предложенному нами алгоритму, хорошо согласуются с расчетами в интегральной среде разработки COMSOL Multiphysics 3.5.

Об авторах

Л. Б. Берлинер
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
кафедра Материалы микро-, опто- и наноэлектроники, ведущий научный сотрудник


Л. А. Гвелесиани
МИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86
Россия
кафедра Материалы микро-, опто- и наноэлектроники, аспирант


Список литературы

1. Датчики ионизирующего излучения на основе кристаллов CdTe и Cd1-xZnxTe / А. Д. Скачкова [и др.] // XXIX Сажинские чтения. - 2010. - С. 11−22.

2. Numeric simulation of vertical Bridgman growth of Cd1-xZnxTe melts / V. M. Lakeenkov, V. B. Ufimtsev, N. I. Shmatov, Y. F. Schelkin // J. of Crystal Growth. - 1999. - Vol. 197. - P. 443−448.

3. Interface shape control using localized heating during Bridgman growth / M. P. Volz [et al.] // J. of Crystal Growth. - 2009. - Vol. 311, № 8. - P. 2321-2326.

4. Гвелесиани, Л. А. Модель процесса вертикальной направленной кристаллизации монокристаллов Cd1-xZnxTe / Л. А. Гвелесиани // Вестник МИТХТ. - 2010. - Т. 5, № 2. - С. 18-22.

5. Мешков, Е. И. Алгоритмы расчета и формирования матриц геометрических и обобщенных угловых коэффициентов излучения для рабочего пространства вращающейся печи / Е. И. Мешков, Т. Е. Герасименко, М. А. Ковалева // Изв. ВУЗов. Цветная металлургия. - 2009. - № 5. - С. 55−60.

6. Оценка динамики температурного поля в рабочем объеме вертикальной установки Бриджмена при продольно-осевом перемещении ростового контейнера в процессе выращивания кристаллов / М. М. Филиппов [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2009. - Т. 315, № 2. - С. 104−109.

7. Алгоритм оценки мощностей нагревательных элементов в многозонной установке для выращивания кристаллов по Бриджмену / М. М. Филиппов [и др.] // Известия Томского политехнического университета. - 2009. - Т. 315, № 2. - С. 110−112.

8. Cerny, R. Computational modeling of CdZnTe crystal growth from the melt / R. Cerny, A. Kalbac, P. Prikryl // Computational Materials Science. - 2000. - Vol. 17. - P.34−60.

9. Официальный сайт COMSOL Multiphysics [Электронный ресурс]. - режим доступа : http://www.comsol.com/products/multiphysics/. - 20.04.2010.


Рецензия

Для цитирования:


Берлинер Л.Б., Гвелесиани Л.А. Численный расчет радиационного теплообмена для процесса направленной кристаллизации CdZnTe. Тонкие химические технологии. 2010;5(5):13-18.

For citation:


Berliner L.B., Gvelesiani L.A. Numeric computation of the radiative heat transfer for vertical crystal growth of CdZnTe single-crystals. Fine Chemical Technologies. 2010;5(5):13-18. (In Russ.)

Просмотров: 349


Creative Commons License
Контент доступен под лицензией Creative Commons Attribution 4.0 International License.


ISSN 2410-6593 (Print)
ISSN 2686-7575 (Online)