ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ПОГЛОЩЕНИЯ СВЕТА В ПЛЕНКАХ ДИОКСИДА ТИТАНА

Показано, что при напылении пленок диоксида титана методом реактивного термоиспарения использование ионизированного кислорода существенно влияет на величину коэффициента поглощения в них лазерного излучения, который измерялся с помощью метода фототермической радиометрии. С целью получения пленок с минимальным коэффициентом поглощения особое внимание уделяется оптимизации параметров метода. Показано, что с ростом степени ионизации кислорода наряду со снижением коэффициента поглощения происходит его стабилизация. Экспериментально установлено, что отклонение состава материала пленок от стехиометрического оказывает различное влияние на поглощение в них излучения видимого и ближнего инфракрасного диапазона спектра. Обсуждаются возможные механизмы поглощения на различных длинах волн излучения из указанного спектрального диапазона.

диоксид титана, реактивное термоиспарение, активированное реактивное термоиспарение, электронно-лучевое испарение, поглощение, стехиометрия состава, фототермическая радиометрия

1. Maissel L.I., Glang R. Handbook of thin film technology. New York: McGraw-Hill, 1970. 800 p.

2. Rao K.N. // Opt. Eng. 2002. V. 41. P. 2357-2364.

3. Зверев Г.М., Левчук Е.А., Скворцов Л.А.// Квантовая электроника. 1977. Т. 4. № 2. С. 413-416.

4. Колодный Г.Я., Левчук Е.А., Мосиевский В.А., Новопашин В.В., Скворцов Л.А., Полетаев В.Н. // Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и электроника. 1988. Т. 48. № 4. С. 100-105.

5. Narasimha K.R. // Proc. SPIE. 1989. V. 1019. Thin Film Technologies III. P. 49-55.

6. Ebert J. // Thin Solid Films. 1980. V. 1. P. 43-47.

7. Зверев Г.М., Кудрявцева А.П., Михайлова Т.Н., Наумов В.С., Пашков В.А., Скворцов Л.А. // Электронная техника. Сер. 11. Лазерная техника и электроника. 1979. Т. 2. С. 82-86.

8. Nordal P.E., Kanstad S. O. // Phys. Scr. 1979. V. 20. P. 659-663.

9. Зверев Г.М., Скворцов Л.А. // Известия АН СССР. Серия физическая. 1981. Т. 45. С. 644-646.

10. Santos R., Miranda L.C.M. // J. Appl. Phys. 1981. V. 52. P. 4194-4199.

11. Лопаткин В.Н., Сидорюк О.Е., Скворцов Л.А. // Квантовая электроника. 1985. Т. 12. С. 339-346.

12. Mandelis A., Riopel Y. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2000. V. 18. № 2. P. 705-708.

13. Emeline A., Salinaro A., Ryabchuk V., Serpone N. // Int. J. Photoenergy. 2001. V. 3. P. 1-16.

14. Hoffmann M., Martin S., Choi W., Bahnemann D. // Chem. Rev. 1995. V. 95. P. 69-96.

15. Зверев Г.М., Колядин С.А., Левчук Е.А., Скворцов Л.А.// Квантовая электроника. 1977. Т. 12. № 2. С.1882-1888.

16. Skvortsov L.A. // Quantum Electronics. 2010. V. 40. P. 59-63.