chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-924Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВThe study of morphology of heteroepytaxial structures on the basis of photosensitive layers CdXHg1-XTe by electron probe analysis methodsИсследование морфологии гетероэпитаксиальных структур на основе фоточувствительного твердого раствора CdXHg1-XTe методами электронно-зондового анализаКашубаА. С.KashubaА. С.

ведущий инженер-технолог

noemail@neicon.ruЗаблоцкийА. В.ZablotskyA. V.

научный сотрудник

noemail@neicon.ruКоростылевЕ. В.KorostylevE. V.

научный сотрудник

noemail@neicon.ruКузинА. А.KuzinA. A.

научный сотрудник

noemail@neicon.ruПермикинаЕ. В.PermikinaE. V.

кафедра Материалы микро-, опто- и наноэлектроники,  ведущий инженер

noemail@neicon.ruАрбенинаВ. В.ArbeninaV. V.

кафедра Материалы микро-, опто- и наноэлектроники, доцент

arbenina@mitht.ruФГУП «НПО «Орион»Russian FederationМосковский физико-технический институтRussian FederationМИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86РоссияM.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571Russian Federation201028102010551923Copyright © Kashuba А.С., Zablotsky A.V., Korostylev E.V., Kuzin A.A., Permikina E.V., Arbenina V.V., 20102010Кашуба А.С., Заблоцкий А.В., Коростылев Е.В., Кузин А.А., Пермикина Е.В., Арбенина В.В.Kashuba А.С., Zablotsky A.V., Korostylev E.V., Kuzin A.A., Permikina E.V., Arbenina V.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/924твердый раствор теллурида кадмия-ртути CdXHg1-XTe (КРТ)молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ)V−дефектыэпитаксиальный слой (ЭС)гетероструктура (ГС)растровая электронная микроскопия (РЭМ)электронно-зондовый рентгеновский микроанализ (РМА)solid solution cadmium telluride - mercury telluride CXHg1-XTemolecular beam epitaxy (МBE)V-defectsepitaxial layerheterostructurescanning electronic microscopy (SEM)electronic probe x-ray microanalysis (EPMA)ReferencesИсследование состояния поверхности CdTe / А. К. Гутаковский [и др.] // Поверхность. - 1988. - № 9. - C. 80-88.Исследование состояния поверхности CdTe / А. К. Гутаковский [и др.] // Поверхность. - 1988. - № 9. - C. 80-88.Defect formation during growth of CdTe(111) and HgCdTe films by molecular beam epitaxy / I. V. Sabinina [et al.] // J. Cryst. Growth. - 1992. - Vol. 117, № 1-4. - P. 238-243.Defect formation during growth of CdTe(111) and HgCdTe films by molecular beam epitaxy / I. V. Sabinina [et al.] // J. Cryst. Growth. - 1992. - Vol. 117, № 1-4. - P. 238-243.Defect formation during MBE growth of CdTe(111) / I. V. Sabinina [et al.] // Phys. stat. sol. (a). - 1991. - Vol. 126. - P. 181-188.Defect formation during MBE growth of CdTe(111) / I. V. Sabinina [et al.] // Phys. stat. sol. (a). - 1991. - Vol. 126. - P. 181-188.Фотолюминесценция пленок (111)CdTe, выращенных на (100) GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Е. А. Милохин [и др.] // Физика твердого тела. - 1991. - T. 33. - C. 1155-1160.Фотолюминесценция пленок (111)CdTe, выращенных на (100) GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии / Е. А. Милохин [и др.] // Физика твердого тела. - 1991. - T. 33. - C. 1155-1160.Sabinina, I. V. Preparation of TEM samples from compound semiconductors by chemomechanical polishing / I. V. Sabinina, A. K. Gutakovsky // Ultramicroscopy. - 1992. - Vol. 45. - P. 411-415.Sabinina, I. V. Preparation of TEM samples from compound semiconductors by chemomechanical polishing / I. V. Sabinina, A. K. Gutakovsky // Ultramicroscopy. - 1992. - Vol. 45. - P. 411-415.Twinning in CdTe (111) films on (100) GaAs substrates / S. A. Dvoretsky [et al // Inst. Phys. Conf. Ser. - 1988. - Vol. 2, № 93. - P. 407-408.Twinning in CdTe (111) films on (100) GaAs substrates / S. A. Dvoretsky [et al // Inst. Phys. Conf. Ser. - 1988. - Vol. 2, № 93. - P. 407-408.Двойникование в пленках CdTe (111) на подложках GaAs(100) / В. И. Бударных [и др.] // Доклады АН. - 1989. - T. 304, № 3. - C. 604-607.Двойникование в пленках CdTe (111) на подложках GaAs(100) / В. И. Бударных [и др.] // Доклады АН. - 1989. - T. 304, № 3. - C. 604-607.Melt Growth of CdTe Crystals and Transmission Electron Microscopic Investigation of their Grain Boundaries / I. V. Sabinina [et al.] // Cryst. Res. Technol. - 1991. - Vol. 26, № 8. - P. 967-972.Melt Growth of CdTe Crystals and Transmission Electron Microscopic Investigation of their Grain Boundaries / I. V. Sabinina [et al.] // Cryst. Res. Technol. - 1991. - Vol. 26, № 8. - P. 967-972.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.