chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-737Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВPulsed photon annealing of Ве+-implanted InSb layersОсобенности импульсного фотонного отжига дефектов, введенных в кристаллы InSb при имплантации ионов Be+АртамоновА. В.ArtamonovA. V.noemail@neicon.ruАстаховВ. П.AstakhovV. P.noemail@neicon.ruКарповВ. В.KarpovV. V.noemail@neicon.ruМаксимовА. Д.MaximovA. D.admaximov@gmail.comМИТХТ им. М.В. ЛомоносоваRussian FederationОАО «Московский завод «Сапфир»Russian Federation201228062012734650Copyright © Artamonov A.V., Astakhov V.P., Karpov V.V., Maximov A.D., 20122012Артамонов А.В., Астахов В.П., Карпов В.В., Максимов А.Д.Artamonov A.V., Astakhov V.P., Karpov V.V., Maximov A.D.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/737имплантацияимпульсный отжигInSbдефектыimplantationpulsed annealingInSbdefectsReferencesСтоянова И.Г., Скакун Н.А., Трохин А.С. Локализация атомов бериллия в кристаллической решетке антимонида индия при ионной имплантации // Поверхность: Физика, химия, механика. 1988. № 8. С. 144-146.Стоянова И.Г., Скакун Н.А., Трохин А.С. Локализация атомов бериллия в кристаллической решетке антимонида индия при ионной имплантации // Поверхность: Физика, химия, механика. 1988. № 8. С. 144-146.Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. - М.: Наука, 1981. С. 30.Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. - М.: Наука, 1981. С. 30.Fujisawa Isao. Type conversion of InSb from p to n by ion bombardment and laser irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. 1980. V. 19. № 11. P. 2137-2141.Fujisawa Isao. Type conversion of InSb from p to n by ion bombardment and laser irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. 1980. V. 19. № 11. P. 2137-2141.Шалимова К.В. Физика полупроводников. - М.: Энергия, 1976. С. 196-198.Шалимова К.В. Физика полупроводников. - М.: Энергия, 1976. С. 196-198.Vaidya N., Huang H., Liang D. Grown-in defects of InSb crystals: Models and computation / Dep. of Mathematics & Statistics, York University. - Toronto, Canada M3J 1P3, 2005. P. 9.Vaidya N., Huang H., Liang D. Grown-in defects of InSb crystals: Models and computation / Dep. of Mathematics & Statistics, York University. - Toronto, Canada M3J 1P3, 2005. P. 9.Höglund A. Electronic structure calculations of point defects in semiconductors / Digital Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Faculty of Science and Technology 316. - Uppsala, Sweden, 2007. P. 102.Höglund A. Electronic structure calculations of point defects in semiconductors / Digital Comprehensive Summaries of Uppsala Dissertations from the Faculty of Science and Technology 316. - Uppsala, Sweden, 2007. P. 102.Declemya A., Sauvageb T., Kotaic E., Levequed P., Abd El-Atie M.I. Be- and Mg-ion implantation-induced damage in InSb // Materials Science in Semiconductor Processing. 2001. V. 4. № 1-3. P. 277-279.Declemya A., Sauvageb T., Kotaic E., Levequed P., Abd El-Atie M.I. Be- and Mg-ion implantation-induced damage in InSb // Materials Science in Semiconductor Processing. 2001. V. 4. № 1-3. P. 277-279.Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. - М.: Мир, 1974. 462 c. 1.Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. - М.: Мир, 1974. 462 c. 1.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.