chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-438Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВEstimation of diffusion behaviour of metals used for the creation of multilayered contacts to heterostructures based on GaAsМИКРОСТРУКТРА СЛОЕВ И ОЦЕНКА РАЗМЕРОВ ДИФФУЗИОННЫХ ОБЛАСТЕЙ В СИСТЕМАХ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ GaAsАрбенинаВ. В.ArbeninaV. V.

кафедра Материаловедения и технологии функциональных материалов и структур, доцент

arbenina@mitht.ruКашубаА. С.KashubaA. S.

ведущий инженер-технолог

noemail@neicon.ruПермикинаЕ. В.PermikinaE. V.

ведущий инженер

noemail@neicon.ruМИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86РоссияM.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571Russian FederationОАО «НПО «Орион», Москва, 111123Россия«RD&PCenter «Orion», Moscow, 111123Russian Federation201428102014954448Copyright © Arbenina V.V., Kashuba A.S., Permikina E.V., 20142014Арбенина В.В., Кашуба А.С., Пермикина Е.В.Arbenina V.V., Kashuba A.S., Permikina E.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/438

The formation of the microstructure of metallization layers was investigated, and the calculations of the size of diffusion areas on the interphase boundaries in systems metal (Au, Ti, Pt)/GaAs and metal / metal was executed. The formation of the microstructure is accompanied by development in layers of internal stress. Internal stress in many respects determines the electrical and mechanical characteristics of the metallization layers and the influence of diffusion processes on the rate. Using the obtained results it is possible to choose purposefully the modes of drawing of metal layers and annealing structures in order to obtain systems of metallization with small internal stress and high level conductivity.

Исследован процесс формирования микроструктуры слоев металлизации и выполнены расчетыразмеров диффузионных областей на межфазных границах металл(М)/GaAs и М/М. Полученные данные позволяют целенаправленно корректировать режимы нанесения слоев и отжига структур с целью получения различных систем металлизации с малыми внутренними напряжениями.

металлизациямежфазные границымикроструктураполикристаллические слоидиффузияmetallizationinterphase boundariesmicrostructurepolycrystalline layersdiffusion.ReferencesАрбенина В.В., Мармалюк А.А., Арбенин Д.Е., Будкин И.В., Говорков О.И. Травление смесью HNO3+HCl+ глицерин слоев металлизации на гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs // Неорган. материалы. 2008. Т. 44. № 12. С. 1418-1424.Арбенина В.В., Мармалюк А.А., Арбенин Д.Е., Будкин И.В., Говорков О.И. Травление смесью HNO3+HCl+ глицерин слоев металлизации на гетероструктурах GaAs/AlxGa1-xAs // Неорган. материалы. 2008. Т. 44. № 12. С. 1418-1424.Стрельченко C.C., Лебедев В.В. Соединения А3В5 : справочник. М.: Металлургия, 1984. 144 с.Стрельченко C.C., Лебедев В.В. Соединения А3В5 : справочник. М.: Металлургия, 1984. 144 с.Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. М.: Металлургия, 1978. 247 с.Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. М.: Металлургия, 1978. 247 с.Бокштейн Б.С., Копецкий Ч.В., Швиндлерман Л.С. Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах. М.: Металлургия, 1986. 223 с.Бокштейн Б.С., Копецкий Ч.В., Швиндлерман Л.С. Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах. М.: Металлургия, 1986. 223 с.Харсен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов: в 2-х т. М.: Металлургия, 1962. Т. 1. 608 с.Харсен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов: в 2-х т. М.: Металлургия, 1962. Т. 1. 608 с.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.