<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="en"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">chemicallytech</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="en">Fine Chemical Technologies</journal-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Тонкие химические технологии</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">2410-6593</issn><issn pub-type="epub">2686-7575</issn><publisher><publisher-name>MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.32362/2410-6593-2025-20-1-55-62</article-id><article-id custom-type="edn" pub-id-type="custom">WCZOAO</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">chemicallytech-2219</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>CHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALS</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>ХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Optimization of KRS-5 single crystal growth process by calculation of temperature gradient  using finite element method</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Оптимизация процесса роста монокристалла КРС-5 с помощью расчета градиента температуры методом конечных элементов</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0002-7464-8454</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Ерохин</surname><given-names>С. В.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Erohin</surname><given-names>S. V.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Ерохин Сергей Владимирович, к.ф.-м.н., научный сотрудник, лаборатория высокочистых галогенидных материалов для оптики</p><p>Scopus Author ID 57003750600, ResearcherID AFR-7212-2022</p><p>111524, Москва, Электродная ул., д. 2, стр. 1</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Sergey V. Erohin, Cand. Sci. (Phys.-Math.), Researcher</p><p>Scopus Author ID 57003750600, ResearcherID AFR-7212-2022</p><p>2-1, Electrodnaya ul., Moscow, 111524</p></bio><email xlink:type="simple">fizteh1993@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0001-8573-3470</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Зараменских</surname><given-names>К. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Zaramenskikh</surname><given-names>K. S.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Зараменских Ксения Сергеевна, к.х.н., лаборатория высокочистых галогенидных материалов для оптики</p><p>Scopus Author ID 56743216200</p><p>111524, Москва, Электродная ул., д. 2, стр. 1</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Ksenia S. Zaramenskikh, Cand. Sci. (Chem.), Leading Researcher</p><p>Scopus Author ID 56743216200</p><p>2-1, Electrodnaya ul., Moscow, 111524</p></bio><email xlink:type="simple">kszaramenskikh@rosatom.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0000-0002-8441-4424</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Кузнецов</surname><given-names>М. С.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Kuznetsov</surname><given-names>M. S.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Кузнецов Михаил Сергеевич, начальник лаборатории высокочистых галогенидных материалов для оптики</p><p>Scopus Author ID 55421893200</p><p>111524, Москва, Электродная ул., д. 2, стр. 1</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Mikhail S. Kuznetsov, Head</p><p>Scopus Author ID 55421893200</p><p>2-1, Electrodnaya ul., Moscow, 111524</p></bio><email xlink:type="simple">gradan@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><contrib-id contrib-id-type="orcid">https://orcid.org/0009-0005-3650-4694</contrib-id><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Пилюшко</surname><given-names>С. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Pilyushko</surname><given-names>S. M.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Пилюшко Станислав Михайлович, инженер-технолог, лаборатория высокочистых галогенидных материалов для оптики</p><p>Scopus Author ID 57854000900</p><p>111524, Москва, Электродная ул., д. 2, стр. 1111524, Москва, Электродная ул., д. 2, стр. 1</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Stanislav M. Pilyushko, Process Engineer</p><p>Scopus Author ID 57854000900</p><p>2-1, Electrodnaya ul., Moscow, 111524</p></bio><email xlink:type="simple">vorpat2402@bk.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет» имени Н.П. Сажина</institution><country>Россия</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Laboratory of High-Purity Halogenide Materials for Optics, Giredmet</institution><country>Russian Federation</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2025</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>05</day><month>03</month><year>2025</year></pub-date><volume>20</volume><issue>1</issue><fpage>55</fpage><lpage>62</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Erohin S.V., Zaramenskikh K.S., Kuznetsov M.S., Pilyushko S.M., 2025</copyright-statement><copyright-year>2025</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Ерохин С.В., Зараменских К.С., Кузнецов М.С., Пилюшко С.М.</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Erohin S.V., Zaramenskikh K.S., Kuznetsov M.S., Pilyushko S.M.</copyright-holder><license xml:lang="ru" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.</license-p></license><license xml:lang="en" license-type="creative-commons-attribution" xlink:href="https://creativecommons.org/licenses/by/4.0/" xlink:type="simple"><license-p>This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/2219">https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/2219</self-uri><abstract><sec><title>Objectives</title><p>Objectives. Thallium halides, in particular KRS-5 (TlBr–TlI), represent one of the most promising classes of optical crystals for applications in the mid- and far-infrared ranges. Nevertheless, the high-quality standards applied to materials used for such applications present considerable challenges in the manufacture of single thallium halide crystals. In particular, when failing to adhere to exacting growth conditions, the samples exhibit polycrystalline characteristics, rendering them unsuitable for utilization. Given the high cost of experiments carried out to ascertain the optimal conditions for growth, computer modeling may present a viable alternative. When taking such an approach to satisfy the specific requirements, it becomes possible to analyze key effects as standalone entities, thus avoiding unnecessary complications resulting from the introduction of a high number of simultaneous unknown variables. Thus, the aim of the present work is to simulate the growth conditions of KRS-5 crystal to ascertain the causes of polycrystallinity in the samples and identify the optimal parameters for obtaining single crystals.</p></sec><sec><title>Methods</title><p>Methods. In order to solve the problem, the finite element method was used. This method is employed for the calculation of temperature distribution, mechanical stresses, convective effects, the rate of spreading of the crystallization front, deformations due to thermal expansion, and other phenomena that arise during the process of crystal formation. The MATLAB package, which includes a module for solving partial differential equations, was used to simulate the crystal growth ampoule. The problem of temperature gradient was solved in axisymmetric approximation.</p></sec><sec><title>Results</title><p>Results. A computer simulation was employed to calculate the temperature distribution within the material during the growth process. This was used to determine the position and shape of the crystallization front. It is established that polycrystalline samples develop as a consequence of the crystallization front assuming a flat configuration. The optimum temperature in the furnace was determined. The work demonstrated the successful growth of a KRS-5 crystal under the calculated conditions.</p></sec><sec><title>Conclusions</title><p>Conclusions. The calculations used to identify the underlying cause of polycrystallinity in the samples enabled a determination of the optimal parameters for single crystal growth. On the basis of the calculations, a growth experiment was conducted on the KRS-5 sample. The obtained sample met the requisite criteria for commercial utilization.</p></sec></abstract><trans-abstract xml:lang="ru"><sec><title>Цели</title><p>Цели. Галогениды таллия, в частности, КРС-5 (TlBr–TlI), являются одними из наиболее перспективных оптических кристаллов среднего и дальнего инфракрасного диапазона. Однако высокие требования к качеству материала приводят к существенным сложностям производства данных монокристаллов, т.к. при несоблюдении точных условий роста образцы получаются поликристаллическими, непригодными для коммерческого использования. Для определения оптимальных условий роста необходимо проведение десятков дорогостоящих экспериментов. В таком случае альтернативным решением является компьютерное моделирование. В зависимости от требований можно анализировать ключевые параметры по отдельности, не усложняя модель множеством неизвестных одновременно. Целью данной работы является определение условий роста кристалла КРС-5 вычислительными методами для установления причин поликристалличности образцов и нахождения оптимальных параметров получения монокристаллов.</p></sec><sec><title>Методы</title><p>Методы. Для решения поставленной задачи использовали метод конечных элементов, с помощью которого можно выполнить расчеты температурного распределения, механических напряжений, конвективных эффектов, скорости распространения фронта кристаллизации, деформаций из-за теплового расширения и других явлений, возникающих в процессе кристаллообразования. Для построения модели ампулы использовался пакет MATLAB с модулем для решения уравнений в частных производных. Задача о температурном градиенте решалась в осесимметричном приближении.</p></sec><sec><title>Результаты</title><p>Результаты. С помощью компьютерного моделирования рассчитано распределение температур в материале в процессе роста, на основе чего определено положение и форма фронта кристаллизации. Сделан вывод, что поликристалличные образцы растут в результате прохождения фронта кристаллизации плоской формы. Определена оптимальная температура в печи, необходимая для формирования выпуклого фронта кристаллизации. Продемонстрирован выращенный монокристалл КРС-5.</p></sec><sec><title>Выводы</title><p>Выводы. Расчеты позволили быстро определить причину поликристалличности образцов, получить оптимальные параметры роста монокристаллов и на основе их провести эксперимент роста КРС-5. В полученном образце не наблюдалась блочная структура, и кристалл успешно подвергался механической обработке.</p></sec></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>метод конечных элементов</kwd><kwd>расчет градиента температур</kwd><kwd>оптические кристаллы</kwd><kwd>галогенид таллия</kwd><kwd>КРС-5</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>finite element method</kwd><kwd>temperature gradient calculation</kwd><kwd>optical crystals</kwd><kwd>thallium halide</kwd><kwd>KRS-5</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кузнецов М.С., Зараменских К.С., Лисицкий И.С., Полякова Г.В., Морозов М.В., Пимкин Н.А., Сосков О.В., Бутвина Л.Н. Градиентные материалы на основе кристаллов галогенидов таллия для оптических элементов и оптоволокна ИК-диапазона. Фотон-Экспресс. 2021;6(174): 76–77. https://doi.org/10.24412/2308-6920-2021-6-76-77</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kuznetsov M.S., Zaramenskikh K.S., Lisitskii I.S., Polyakova G.V., Morozov M.V., Pimkin N.A., Soskov O.V., Butvina L.N. Gradient materials based on thallium halide crystals for optical elements and optical fibers of the IR range. Foton-Ekspress = Photon-Express. 2021;6(174):76–77 (in Russ.). https://doi.org/10.24412/2308-6920-2021-6-76-77</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Khorkin V.S., Voloshinov V.B., Kuznetsov M.S. Anisotropic acousto-optic interaction in a KRS-5 crystal. Appl. Opt. 2022;61(15):4397–4403. https://doi.org/10.1364/AO.453606</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Khorkin V.S., Voloshinov V.B., Kuznetsov M.S. Anisotropic acousto-optic interaction in a KRS-5 crystal. Appl. Opt. 2022;61(15):4397–4403. https://doi.org/10.1364/AO.453606</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kim H., Ogorodnik Y., Kargar A., Cirignano L., Thrall C.L., Koehler W., O’Neal S.P., He Z., Swanberg E., Payne S.A., Squillante M.R., Shah K. Thallium Bromide Gamma-Ray Spectrometers and Pixel Arrays. Front Phys. 2020;8:55. https://doi.org/10.3389/fphy.2020.00055</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kim H., Ogorodnik Y., Kargar A., Cirignano L., Thrall C.L., Koehler W., O’Neal S.P., He Z., Swanberg E., Payne S.A., Squillante M.R., Shah K. Thallium Bromide Gamma-Ray Spectrometers and Pixel Arrays. Front Phys. 2020;8:55. https://doi.org/10.3389/fphy.2020.00055</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Hitomi K., Kim C., Nogami M., Shimazoe K., Takahashi H. Characterization of coincidence time resolutions of TlBrxCl1−x crystals as Cherenkov radiators. Jpn. J. Appl. Phys. 2023;62:081001. https://doi.org/10.35848/1347-4065/ace5fa</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Hitomi K., Kim C., Nogami M., Shimazoe K., Takahashi H. Characterization of coincidence time resolutions of TlBrxCl1−x crystals as Cherenkov radiators. Jpn. J. Appl. Phys. 2023;62:081001. https://doi.org/10.35848/1347-4065/ace5fa</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ariño-Estrada G., Du J., Kim H., Cirignano L.J., Shah K.S., Cherry S.R., Mitchell G.S. Development of TlBr detectors for PET imaging. Phys. Med. Biol. 2018;63(13):13NT04. https://doi.org/10.1088/1361-6560/aac27e</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ariño-Estrada G., Du J., Kim H., Cirignano L.J., Shah K.S., Cherry S.R., Mitchell G.S. Development of TlBr detectors for PET imaging. Phys. Med. Biol. 2018;63(13):13NT04. https://doi.org/10.1088/1361-6560/aac27e</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Ellin J., Rebolo L., Backfish M., Prebys E., Ariño-Estrada G. Prompt gamma timing for proton range verification with TlBr and TlCl as pure Cherenkov emitters. Phys. Med. Biol. 2024;69(11):115002. https://doi.org/10.1088/1361-6560/ad4304</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Ellin J., Rebolo L., Backfish M., Prebys E., Ariño-Estrada G. Prompt gamma timing for proton range verification with TlBr and TlCl as pure Cherenkov emitters. Phys. Med. Biol. 2024;69(11):115002. https://doi.org/10.1088/1361-6560/ad4304</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kim H., Churilov A., Ciampi G., Cirignano L., Higgins W., Kim S., O’Dougherty P., Olschner F., Shah K. Continued development of thallium bromide and related compounds for gamma-ray spectrometers. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equip. 2011;629(1):192–196. https://doi.org/10.1016/j.nima.2010.10.097</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kim H., Churilov A., Ciampi G., Cirignano L., Higgins W., Kim S., O’Dougherty P., Olschner F., Shah K. Continued development of thallium bromide and related compounds for gamma-ray spectrometers. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equip. 2011;629(1):192–196. https://doi.org/10.1016/j.nima.2010.10.097</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Смирнов И.С., Говорков А.В., Кожухова Е.А., Лисицкий И.С., Кузнецов М.С., Зараменских К.С., Поляков А.Я. Влияние условий выращивания и легирования донорными примесями на механизм проводимости и спектры глубоких уровней в кристаллах TlBr. Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013;3:4–12. https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-4-12</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Smirnov I.S., Govorkov A.V., Kozhukhova E.A., Lisitsky I.S., Kuznetsov M.S., Zaramenskikh K.S., Polyakov A.Ya. The influence of growth conditions and donor doping on conductivity mode and deep traps spectra in TlBr single crystals. Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii. Materialy Elektronnoi Tekhniki = Materials of Electronics Engineering. 2013;3:4–12 (in Russ.). https://doi.org/10.17073/1609-3577-2013-3-4-12</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Bishop S.R., Higgins W., Ciampi G., Churilov A., Shah K.S., Tuller H.L. The Defect and Transport Properties of Donor Doped Single Crystal TlBr. J. Electrochem. Soc. 2011;158(2):J47. http://doi.org/10.1149/1.3525243</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Bishop S.R., Higgins W., Ciampi G., Churilov A., Shah K.S., Tuller H.L. The Defect and Transport Properties of Donor Doped Single Crystal TlBr. J. Electrochem. Soc. 2011;158(2):J47. http://doi.org/10.1149/1.3525243</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Salimgareev D., Lvov A., Yuzhakova A., Pestereva P., Shmygalev A., Korsakov A., Zhukova L. Optical materials for IR fiber optics based on solid solutions of AgCl0.25Br0.75 – TlCl0.74Br0.26, AgCl0.25Br0.75 – TlBr0.46I0.54 systems. Opt. Mat. 2023;143(3):114304. https://doi.org/10.1016/j.optmat.2023.114304</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Salimgareev D., Lvov A., Yuzhakova A., Pestereva P., Shmygalev A., Korsakov A., Zhukova L. Optical materials for IR fiber optics based on solid solutions of AgCl0.25Br0.75 – TlCl0.74Br0.26, AgCl0.25Br0.75 – TlBr0.46I0.54 systems. Opt. Mat. 2023;143(3):114304. https://doi.org/10.1016/j.optmat.2023.114304</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Лисицкий И.С., Голованов В.Ф., Кузнецов М.С., Полякова Г.В. Макроскопические дефекты монокристаллов галогенидов таллия, выращенных из расплава методом Стокбаргера. Цветные металлы. 2004;2:81–84.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Lisitsky I.S., Golovanov V.F., Kuznetsov M.S., Polyakova G.V. Macroscopic defects of thallium halide single crystals grown from the melt by the Stockbarger method. Tsvetnye Metally. 2004;2:81–84 (in Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kozlov V., Leskelä M., Sipilä H. Annealing and characterisation of TlBr crystals for detector applications. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equip. 2005;546(1):200–204. https://doi.org/10.1016/j.nima.2005.03.025</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kozlov V., Leskelä M., Sipilä H. Annealing and characterisation of TlBr crystals for detector applications. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equip. 2005;546(1):200–204. https://doi.org/10.1016/j.nima.2005.03.025</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Kozlov V., Leskelä M., Prohaska T., Schultheis G., Stingeder G., Sipilä H. TlBr crystal growth, purification and characterisation. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equip. 2004;531(1):165–173. https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.06.002</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kozlov V., Leskelä M., Prohaska T., Schultheis G., Stingeder G., Sipilä H. TlBr crystal growth, purification and characterisation. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equip. 2004;531(1):165–173. https://doi.org/10.1016/j.nima.2004.06.002</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Аронов П.С., Гусев А.О., Родин А.С. Моделирование напряженно-деформированного состояния кристалла, выращенного методом Бриджмена. Препринты ИПМ им. М.В. Келдыша. 2023;8:26 с. https://doi.org/10.20948/prepr-2023-8</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Aronov P.S., Gusev A.O., Rodin A.S. Modeling of the stress-strain state of the crystal grown by Bridgman method. Preprinty IPM im. M.V. Keldysha = Keldysh Inst Prepr. 2023;8:26 p. (in Russ.). https://doi.org/10.20948/prepr-2023-8</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Авдиенко К.И., Артюшенко В.Г., Белоусов А.С. и др. Кристаллы галогенидов таллия. Получение, свойства и применение. Новосибирск: Наука; 1989. 151 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Avdienko K.I., Artyushenko V.G., Belousov A.S., et al. Kristally galogenidov talliya. Poluchenie, svoistva i primenenie (Crystals of Thallium Halides. Synthesis, Properties and Applications). Novosibirsk: Nauka; 1989. 151 p. (in Russ.).</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Лодиз Р.А., Паркер Р.Л. Рост монокристаллов: пер. с англ. М.: Мир; 1974. 540 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Laudise R.A., Parker R.L. Rost monokristallov (The Growth of Single Crystals): transl. from Engl. Moscow: Mir; 1974. 540 p. (in Russ.). [Laudise R.A. The Growth of Single Crystals. N.Y.: PrenticeHall Publ., 1970. 352 p.]</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Aust K.T., Chalmers B. Control of lineage structure in aluminum crystals grown from the melt. Can. J. Phys. 1958;36(7):977–980. https://doi.org/10.1139/p58-103</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Aust K.T., Chalmers B. Control of lineage structure in aluminum crystals grown from the melt. Can. J. Phys. 1958;36(7):977–980. https://doi.org/10.1139/p58-103</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
