chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-1522Research ArticleMATHEMATICAL METHODS AND INFORMATION SYSTEMS IN CHEMICAL TECHNOLOGYМАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ И ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ В ХИМИЧЕСКОЙ ТЕХНОЛОГИИDatabase on properties and technical characteristics of semiconductor materialsБаза данных по свойствам и технологическим характеристикам полупроводниковых материалов.СтольниковаТ. В.Stol'nikovaT. V.

кафедра Информационных технологий, магистр

noemail@neicon.ruКолыбановК. Ю.KolybanovK. Yu.

кафедра Информационных технологий, доцент

noemail@neicon.ruАрбенинаВ. В.ArbeninaV. V.

кафедра Материалов микро-,опто- и наноэлектроники, доцент

noemail@neicon.ruМИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86РоссияM.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571Russian Federation2008280820083494100Copyright © Stol'nikova T.V., Kolybanov K.Y., Arbenina V.V., 20082008Стольникова Т.В., Колыбанов К.Ю., Арбенина В.В.Stol'nikova T.V., Kolybanov K.Y., Arbenina V.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/1522

The structure of the database is developed, allowing to unit in one electronic reference media of data on properties of materials on the basis of semiconductor phases with their simultaneous ordering both necessary for technologists the data on conditions of reception of these materials. The user-friendly interface is created, patterns for reports are made. Serviceability of a database is checked up on an example of А3 В5 and А2 В6 semiconductor compounds. The database is recommended to introduction in educational process on the direction 551600 « Materiology and technology of new materials».

Разработана структура базы данных, объединяющей сведения о свойствах материалов на основе полупроводниковых фаз с одновременной их систематизацией и необходимые для материаловедов и технологов данные об условиях получения этих материалов. Создан удобный для пользователя интерфейс, составлены шаблоны для отчетов, работоспособность базы данных проверена на примере полупроводниковых соединений типа А3 В5 и А2 В6 . База данных рекомендована к внедрению в учебный процесс при подготовке бакалавров по направлению 551600 «Материаловедение и технология новых материалов».

ReferencesКиселёва, Н. Н. Компьютерное конструирование неорганических соединений: использование баз данных и методов искусственного интеллекта / Н. Н. Киселёва. – М. : Наука, 2005. – 286 с.Киселёва, Н. Н. Компьютерное конструирование неорганических соединений: использование баз данных и методов искусственного интеллекта / Н. Н. Киселёва. – М. : Наука, 2005. – 286 с.Кузнецов, С. Д. Основы современных баз данных / С. Д. Кузнецов // Информационноаналитические материалы Центра Информационных Технологий.Кузнецов, С. Д. Основы современных баз данных / С. Д. Кузнецов // Информационноаналитические материалы Центра Информационных Технологий.Connolly, Thomas M. Database systems. A practical approach to design, Implementation, and management / Thomas M. Connolly, Carolyn E. Begg. – М. : ИД «Вильямс», 2003. – 1440 c.Connolly, Thomas M. Database systems. A practical approach to design, Implementation, and management / Thomas M. Connolly, Carolyn E. Begg. – М. : ИД «Вильямс», 2003. – 1440 c.Дейт, К. Дж. Введение в системы баз данных / К. Дж. Дейт. – М. : ИД «Вильямс», 2002. – 1072 с.Дейт, К. Дж. Введение в системы баз данных / К. Дж. Дейт. – М. : ИД «Вильямс», 2002. – 1072 с.В.В. Кириллов. Основы проектирования реляционных баз данных. – Режим доступа: http://www.citforum.ru/database/dbguide/index.shtmlВ.В. Кириллов. Основы проектирования реляционных баз данных. – Режим доступа: http://www.citforum.ru/database/dbguide/index.shtmlhttp://www.hist.msu.ru/Labs/HisLab/BOOKS/p4_Access.pdfhttp://www.hist.msu.ru/Labs/HisLab/BOOKS/p4_Access.pdfДженнингс, Роджер. Использование Microsoft Access 2002 / Роджер Дженнингс. – М. : ИД «Вильямс», 2002. – 1007 с.Дженнингс, Роджер. Использование Microsoft Access 2002 / Роджер Дженнингс. – М. : ИД «Вильямс», 2002. – 1007 с.Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / Под ред. Л. Н. Новоселовой, В. Б. Лазарева. – М. : Наука, 1979. – 338 с.Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / Под ред. Л. Н. Новоселовой, В. Б. Лазарева. – М. : Наука, 1979. – 338 с.Лебедев, С. С. Соединения А3В5 / С. С. Лебедев, В. В. Стрельченко. – М. : Металлургия, 1991. – 350 с.Лебедев, С. С. Соединения А3В5 / С. С. Лебедев, В. В. Стрельченко. – М. : Металлургия, 1991. – 350 с.Хансен, М. Структуры двойных сплавов / М. Хансен, К. Андерко. – М. : Металлургиздат, 1962. – Т. I. – 608 с., Т. II. – 1488 с.Хансен, М. Структуры двойных сплавов / М. Хансен, К. Андерко. – М. : Металлургиздат, 1962. – Т. I. – 608 с., Т. II. – 1488 с.http://www.BD.comhttp://www.BD.comhttp://www.nsc.ru/win/docs/db/rdbms/5-1.htmlhttp://www.nsc.ru/win/docs/db/rdbms/5-1.html

The authors declare that there are no conflicts of interest present.