chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-1456Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВEstimation of the MQW InGaAs/GaAs heterostructures stability to the formation of misfit dislocationsРасчёт устойчивости многослойных квантоворазмерных гетероструктур InGaAs/GaAs к вероятности образования дислокаций несоответствияМалджыА. А.MaldzhyA. A.noemail@neicon.ruАкчуринР. Х.AkchurinR. Kh.noemail@neicon.ruМармалюкА. А.MarmalyukA. A.noemail@neicon.ruМИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86РоссияM.V. Lomonosov Moscow University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571Russian FederationООО «Сигма Плюс»Russian Federation200628122006167377Copyright © Maldzhy A.A., Akchurin R.K., Marmalyuk A.A., 20062006Малджы А.А., Акчурин Р.Х., Мармалюк А.А.Maldzhy A.A., Akchurin R.K., Marmalyuk A.A.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/1456

The stable, metastable and unstable regions of InGaAs/GaAs heterostructures to the formation of misfit dislocations were determined. The character of the strain distribution in the investigating samples has been estimated and the excess stress change in the quantum wells and barrier layers has been designed

Определены области стабильности, метастабильности и нестабиль- ности многослойных квантово- размерных гетероструктур (ГС) InGaAs/GaAs к образованию дислокаций несоответствия (ДН). Установлен характер распределения напряжений в исследуемых образцах. Построены графики, позволяющие наглядно проследить изменение избыточных напряжений в квантовых ямах и барьерах.

ReferencesMatthews J. W. //J. vac. sci. technol. – 1975. – V. 12. – P. 126.Matthews J. W. //J. vac. sci. technol. – 1975. – V. 12. – P. 126.Matthews J.W., Blakeslee A.E. //J. cryst. Growth. – 1974. – V. 27. – P. 118.Matthews J.W., Blakeslee A.E. //J. cryst. Growth. – 1974. – V. 27. – P. 118.Frank F.C., Van der Merwe J. H. //Proc. roy. soc. london ser. – 1949. – V. 198. – P. 205.Frank F.C., Van der Merwe J. H. //Proc. roy. soc. london ser. – 1949. – V. 198. – P. 205.People R. Bean J. C. //Appl. phys. lett. – 1985. – V. 47 – P. 322.People R. Bean J. C. //Appl. phys. lett. – 1985. – V. 47 – P. 322.Tsao J. Y., Dodson B. W., Picraux S. T., Cornelison D. M. //Phys. rev. lett. –1987. –V. 59– P. 2455.Tsao J. Y., Dodson B. W., Picraux S. T., Cornelison D. M. //Phys. rev. lett. –1987. –V. 59– P. 2455.Tsao J. Y., Dodson B. W. //Appl. phys. lett. – 1988. – V. 53. – P. 848.Tsao J. Y., Dodson B. W. //Appl. phys. lett. – 1988. – V. 53. – P. 848.Houghton D. C. et al. //Appl. phys. lett. – 1990. – V. 68. – P. 1850.Houghton D. C. et al. //Appl. phys. lett. – 1990. – V. 68. – P. 1850.Fisher A., Kuhne H., Eichler M., Hollander F., Richter H. //Phys. rev. B. – 1996. – V.54. –P. 8761.Fisher A., Kuhne H., Eichler M., Hollander F., Richter H. //Phys. rev. B. – 1996. – V.54. –P. 8761.Bai G. et al. //Appl. phys. lett. – 1994. – V. 75 – 4475Bai G. et al. //Appl. phys. lett. – 1994. – V. 75 – 4475

The authors declare that there are no conflicts of interest present.