chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-1105Research ArticleMATHEMATICAL METHODS AND INFORMATION SYSTEMS IN CHEMICAL TECHNOLOGYМАТЕМАТИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ И ИНФОРМАЦИОННЫЕ СИСТЕМЫ В ХИМИЧЕСКОЙ ТЕХНОЛОГИИThe algorithmic programs for optimal growth conditions selection in growing of GaAs-based epitaxial layers by MOCVD.Алгоритмические программы подбора оптимальных условий роста при выращивании эпитаксиальных слоев на основе GaAs методом МОС-гидридной эпитаксииМармалюкА. А.MarmalyukA. A.
начальник отдела
noemail@neicon.ruАрбенинД. Е.ArbeninD. E.
кафедра Информационных технологих, аспирант
arbenina@mitht.ruБурляеваЕ. В.BurlyaevaE. V.
кафедра Информационных технологий, профессор
noemail@neicon.ruООО «Сигм Плюс», МоскваRussian FederationМИТХТ им. М.В. Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86РоссияM.V. Lomonosov Moscow State University of Fine Chemical Technologies, 86, Vernadskogo pr., Moscow 119571Russian Federation200928042009426166Copyright © Marmalyuk A.A., Arbenin D.E., Burlyaeva E.V., 20092009Мармалюк А.А., Арбенин Д.Е., Бурляева Е.В.Marmalyuk A.A., Arbenin D.E., Burlyaeva E.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/1105алгоритмимитацияМОГФЭтренажерэпитаксияAlgorithmepitaxyimitationMOCVDsimulatorReferencesБурляева, Е. В. Создание программного комплекса на базе имитационного моделирования процесса МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых структур / Е. В. Бурляева, Д. Е.Арбенин // Теория и практика имитационного моделирования и создания тренажеров : сб. статей Юбилейной Междунар. научно-практической конф., Пенза, Россия, 22-24 мая 2007. - Пенза, 2007. - С. 106-108.Бурляева, Е. В. Создание программного комплекса на базе имитационного моделирования процесса МОС-гидридной эпитаксии полупроводниковых структур / Е. В. Бурляева, Д. Е.Арбенин // Теория и практика имитационного моделирования и создания тренажеров : сб. статей Юбилейной Междунар. научно-практической конф., Пенза, Россия, 22-24 мая 2007. - Пенза, 2007. - С. 106-108.www.Aixtron.com. Growth of nitride films.www.Aixtron.com. Growth of nitride films.Мармалюк, А. А. Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 4. - С. 21-26.Мармалюк, А. А. Получение GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 4. - С. 21-26.Мармалюк, А. А. Легирование GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 3. - С. 14-19.Мармалюк, А. А. Легирование GaAs в условиях МОС-гидридной эпитаксии / А. А. Мармалюк // Известия вузов. Материалы электронной техники. - 2004. - № 3. - С. 14-19.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.