chemicallytechFine Chemical TechnologiesТонкие химические технологии2410-65932686-7575MIREA – Russian Technological University (RTU MIREA).chemicallytech-1083Research ArticleCHEMISTRY AND TECHNOLOGY OF INORGANIC MATERIALSХИМИЯ И ТЕХНОЛОГИЯ НЕОРГАНИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВThe influence of the epitaxial layers surface morphology and polarity on quality of passivating coating and the parameters of arrays photosensitive devices on base CdхHg1-хTeВлияние морфологии и полярности поверхности эпитаксиальных слоев на качество пассивирующего покрытия и параметры матричных фотоприемных устройств на основе CdхHg1-хTeБурлаковИ. Д.BurlakovI. D.
начальник отдела
noemail@neicon.ruКашубаА. С.KashubaA. S.
ведущий инженер
noemail@neicon.ruГоловинС. В.GolovinS. V.
главный специалист
noemail@neicon.ruПермикинаЕ. В.PermikinaE. V.
ведущий инженер
noemail@neicon.ruАрбенинаВ. В.ArbeninaV. V.
кафедра Материалы микро-, опто- и наноэлектроники, доцент
arbenina@mitht.ruФГУП «НПО «Орион»Russian FederationМИТХТ им. М.В.Ломоносова, 119571, Москва, пр-т Вернадского, д. 86Russian Federation200928082009447883Copyright © Burlakov I.D., Kashuba A.S., Golovin S.V., Permikina E.V., Arbenina V.V., 20092009Бурлаков И.Д., Кашуба А.С., Головин С.В., Пермикина Е.В., Арбенина В.В.Burlakov I.D., Kashuba A.S., Golovin S.V., Permikina E.V., Arbenina V.V.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://www.finechem-mirea.ru/jour/article/view/1083эпитаксиальный слой CdхHg1-хТe (КРТ)пассивирующее покрытиефоточувствительный элементматричное фотоприемное устройстводефект ростанепланарностькристаллографическая полярность.epitaxial layer CdхHg1-хТepassivating coatingphotodiodearrays photosensitive divicegrowth surface defectnonplanaritycrystallographic polarityReferencesМатричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасного диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdхHg1-хTe / В. И. Стафеев, К. О. Болтарь, И. Д. Бурлаков, В. М. Акимов, Е. А. Климанов, Л. Д. Сагинов, В. Н. Соляков, Н. Г. Мансветов, В. П. Пономаренко, А. А. Тимофеев, А. М. Филачев // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, вып. 10. - С. 1257-1265.Матричные фотоприемные устройства среднего и дальнего инфракрасного диапазонов спектра на основе фотодиодов из CdхHg1-хTe / В. И. Стафеев, К. О. Болтарь, И. Д. Бурлаков, В. М. Акимов, Е. А. Климанов, Л. Д. Сагинов, В. Н. Соляков, Н. Г. Мансветов, В. П. Пономаренко, А. А. Тимофеев, А. М. Филачев // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, вып. 10. - С. 1257-1265.Properties of passivant films on CdHgTe - interaction with the substrate / G .D. Davis [et al.] // Proc. SPIE. - 1981. - Vol. 285. - P. 126-134.Properties of passivant films on CdHgTe - interaction with the substrate / G .D. Davis [et al.] // Proc. SPIE. - 1981. - Vol. 285. - P. 126-134.Knowles, P. Mercury Cadmium Telluride Detectors for Thermal Imaging / P. Knowles //GEC Journal of Research. - 1984. - Vol. 2, № 3. - Р. 141-156.Knowles, P. Mercury Cadmium Telluride Detectors for Thermal Imaging / P. Knowles //GEC Journal of Research. - 1984. - Vol. 2, № 3. - Р. 141-156.Пат. 55507 РФ, МКИ H01 L21/306. Установка нанесения пассивирующего диэлектрика / И. Д. Бурлаков, С. В. Головин, А. С. Кашуба. - № 200611005 ; заявлено 28.03.06 ; опубл. 10.08.06, Бюл. № 29. - 4 с.Пат. 55507 РФ, МКИ H01 L21/306. Установка нанесения пассивирующего диэлектрика / И. Д. Бурлаков, С. В. Головин, А. С. Кашуба. - № 200611005 ; заявлено 28.03.06 ; опубл. 10.08.06, Бюл. № 29. - 4 с.Исследование процесса нанесения пассивирующих покрытий CdTe на эпитаксиальные слои CdхHg1-хTe для создания фотоприемников ИК-диапазона / В. В. Арбенина, Т. В.Данилова, А. С.Кашуба, Е. В.Пермикина // Вестник МИТХТ. - 2007. - Т. 2, № 5. - С. 47-51.Исследование процесса нанесения пассивирующих покрытий CdTe на эпитаксиальные слои CdхHg1-хTe для создания фотоприемников ИК-диапазона / В. В. Арбенина, Т. В.Данилова, А. С.Кашуба, Е. В.Пермикина // Вестник МИТХТ. - 2007. - Т. 2, № 5. - С. 47-51.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.